太阳电池组件阴影遮挡问题实验的研究.pdfVIP

．964．第十届中国太阳能光伏会议论文集 nl r—I— 太阳电池组件阴影遮挡问题实验研究 张臻1’炉，沈辉1，朱家劲2蔡睿贤1 (1中山大学太阳能系统研究所，广州，510275；2倍思电子(深圳)有限公司，深圳，518116) 摘 要 晶体硅太阳电池组件的表面阴影及单体电池功率不匹配等因素是导致输出功率降低的主要原因之一。研究这 些因素的影响不仅对制造晶体硅太阳电池组件有指导作用，而且也有利于人们正确判断光伏发电系统输出降 低或失效的原因。在通过模型理论推导的基础上，本文设计遮挡实验对太阳电池组件进行实际测试，在有无 遮挡的太阳电池组件输出的IV伏安特性以及PV(功率与电压)曲线。结果表明，有无二极管情况下。组件 单片电池被遮挡1％一10％，对整个组件与系统输出功率影响不大，最大功率Pmax下降比例均不超过2％。 同一串电池片之间可以允许存在小的功率差异或表面辐照强度差异(5％o同组件多个电池遮挡实验显示。 电池出现热斑效应时会被反向击穿，击穿电压在15V左右，因此，组件中应对少于15／0．6=25片串联电池并 联一个旁通二极管，否则使用中会出现热斑损坏组件现象。 关键词 太阳电池组件；输出特性；阴影遮挡 --‘-‘!! l刖 舌 晶体硅太阳电池组件，表面阴影或光强分布不均匀及单体电池功率不匹配等因素是导致输出功率降低的主 要原因之一，研究这些因素的影响不仅对设计晶体硅太阳电池组件尤其是聚光组件有指导作用，而且也有利于 人们正确判断光伏发电系统输出降低或失效的原因，在系统设计时考虑与避免这种情况的发生。目前也有许多 太阳组件的I．V特性[1，2，3，4，5】。 在通过计算模型理论推导的基础上，本文设计遮挡实验进行实际测试，比较有无二极管情况下。比较与分 伏安特性以及PV(功率与电压)曲线。 2太阳电池组件数学模型 在恒定光照下，一个处于工作状态的太阳电池，其光电流不随工作状态而变化，在等效电路中可把它看作 是恒流源。光电流一部分流经负载RL，在负载两端建立起端电压V，反过来它又正向偏置于p-n结二极管， 引起一股与光电流方向相反的暗电流Ibk。但是，由于前面和背面的电极和接触，以及材料本身具有一定的电 阻率，基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻。流经负载的电流经过它们时，必然引起损耗。在等效电路中， 可将它们的总效果用一个串联电阻Rs来表示【6，7，8】。由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时，在电池的微 裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等，使一部分本应通过负载的电流短路，这种作用的大小可用一并联电阻 RSh来等效。 ‘张臻，男．博士生。Email：zhangzhenwl@126．C01 光伏组件制造、设备及发展规划。965。 在研究过程中人们发现太阳电池的单二极管等效电路不能很好地模拟电池的暗特性参数，为此采用双二极 管模型[9，10】，如图1所示。 图1太阳电池双指数模型 Doublediodes circuitofthesolarcell Figl equivalent 在晶体硅太阳电池组件中，当有电池被遮挡时，考虑反向击穿效应，组件的输出特性可以用下式表示 【1,2，11】： I：Iph山l[exp{q(V／m，+，RsI)．)一1]一102[exp ，l／c』 ～、 ’ c·， ，l，七丁 ’m Ⅵ． t垡铲，一-]一型Rsh—ac兰+R国c·一旦尘瓮}堕，“ Iph=Iphs×I盯』二 (2)