硬轴炉晶转爬动的原因分析.pdfVIP

2D．f：： 下1：8口g．尹 -l-^J?D№l ， 军挠畔 硬轴炉晶转爬动的原因分析 沈益军 杨光宇 肖世豪 飞＼ (浙江大学半导体厂，杭州3l0027) ＼ f＼ 摘要硬轴炉是拉N型高阻单晶的美奠设备，但硬轴炉往往引起单矗患动 一晶冀扭振．、这必煞会引起单．晶生长困难。本文通过对硬轴炉单晶的模型简化。 分析研完了引惹单晶爬动的原因，由此指导生产实戢，取得了良好的效果。 l引．曹 ’ 直径晶片．(四英寸及以上)的碎片辜较高． 经过半个多世纪的发晨，硅簟晶生长已 所以分立嚣件用的N蚕高阻单晶．直径三 由原来_：儿十亮投辩，直径十来毫米，．发展到 英寸、高晶转速度下拉翻必赫是其主游。因 今天几百公斤投辩，直径两酉毫米、三百毫 此，中等投辩量、采用硬辅挺拉的簟届炉j 米甚至更膏。推动这一发晨的主要动力是集 目前仍然有它明曼的优越性。 成电路的发晨。集虎电路集成度的不断提 我们从生产中发现，860D硬轴炉往往 高，设计线宽的惫尉减小。对硅单晶的直径 容易产生晶转不稳，即在晶转转速上往往会 和完整性提出了越来越青的要求·近几年西 叠加上一扭振，使单晶产生。耙动”。这一 方发达国家提出的信息高速公路计划，更是 为半导体工业的持续发展提供了巨大的推动 力；虽然。．集成电路从姻、嘲翻Ⅵ翅发 晨刭U塌，基本上代表了半导体行业的整 个发晨进程。。但男一方面．分立器件仍然是 半导体行业的半边夹I虽然≯它的发晨不比 集成电路的发展日新月异，但任何一个电子 领域都不可能离开分立器件而存在。因此， 目前、直至可预见的将来，分立器件仍然是 半导体器件中重要的一部分。 制造分立器件的硅基材料，大多数是掺 磷的N型高阻单晶。由于磷的分凝特性， 它在单晶锭中的径向分布往往不均匀。克服 这一缺点的基本方法是提高晶转速度(一般 丁 在25转／分)。但是，作为目前大壹单晶炉 的主流机型，往往采用软轴(钢丝绳)提 L 拉，软轴炉的一大缺憾是晶转打不高，晶转 上 一旦超过18转／分，晶锭就要晃。另一方 图1 晶转示意图 面，由于器件工艺的原因，分立器件应用大 ·270· “爬动”还会引起诸如液面抖动等不利于单 由方程(5)可看出，如果外界振动源 晶生长的情况，另外，因为细颈很细，剧烈 频率，尤其是籽晶杆的“爬动”频率接近7 的“爬动”很可能使细颈扭断、单晶落下而 的话，必将引起共振，而使单晶锭产生剧烈 发生事故。所以研究单晶“爬动”现象的起 地扭振。 因及防止措施是十分必要和重要的。 引起籽晶杆在旋转方向不稳的原因很 2理论分析 多，如炉体振动、轴承不好、电机不稳、连 首先分析“爬动”的固有频率。由图1 接皮带打滑等等。其中最易引起晶锭扭振共 可以看出，“爬动”问题可分解简化为这样 振的当效籽晶杆的转动振颤。为了分析问题 的模型，即细颈悬挂下的单晶锭扭摆。