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用于ESD失效定位的液晶探测技术 何小琦 施明哲 (电子部五所分析中心广州510610) 摘要：本文介绍了用于半导体芯片ESD失效定位的向列相液晶探测技术，阐 明了该技术在失效分析尤其是在ESD失效分析中的作用和优点，同时给出N 沟结型场效应晶体管二个样品管ESD失效定位的应用实例，证实了PN结窗 口边缘Si—SiOz界面是ESD损伤的主要部位． 1．引言 在半导体器件的失效分析中，失效定位是找出器件失效原因的关键一步，但是对 于因静电放电(ESD)而失效的器件，其静电损伤点往往是非表面的，芯片外表看不 出明显的放电痕迹，因此很难直接在显徽镜下确定失效部位．为了进行失效定位，目 前可采用三种非破坏性的检测方法：扫描电镜束感生电流法(EBIC)111；光辐射显微 镜分析法(EMMI)【2J=液晶探测法【3】．三种方法各有特点，但前两种方法所用仪器 价格昂贵费用较高，相比之下液晶探测法是最经济、简便的方法，它只需要少量的液 晶材料和一台普通的偏光显微镜，并且可根据需要使用不同类型的液晶，采用不同的 探测方法对各种失效模式进行失效定位． 本文介绍了使用向列相液晶进行ESD失效定位的探测技术，介绍了向列相液晶的 温度特性和光学特性，以及利用这些特性进行失效定位的方法、原理，并就_N沟结型 场效应晶体管的ESD失效模式，应用K．18向列相液晶进行失效定位和分析，探测结 果表明失效定位准确直观． 。 2．基本原理 向列相液晶是除胆甾相液晶外另一类温度敏感型的液态晶体材料，它的温度敏感 性表现在于具有陡峭的相变特性，能在很窄的相变温度范围内完成向列相一各向同性 相的相变过程，如图1所示【 图1．向列相液晶相转变特性 ·205· 这个相变过程在交叉偏光下观察，液晶会表现出一种独特的光学效果，即随着温 度的升高，在相变温度点处(透明点)，液晶会从色彩斑斓的向列相迅速转变为黑色 的各向同性相．液晶探测技术利用的正是向列相液品相变所产生的这种光学效果，使 用时将液晶涂敷在芯片表面，芯片通电后，通过偏光显微镜探测液晶膜因局部受热而 出现的相变黑点，找出异常热点所对应的黑点位置，依此确定失效部位． 本文所采用的K-18向列相液晶，相变温度范围只有0．001℃，相变温度透明点是 299℃15 J，是一种理想的室温型液晶，具有很好的探钡4性能，适用于各类偏光显微镜． 其探测热点光学系统见图2． 、。。。“。＆ 图2．液晶热点显微探测系统 3．应用实例 f 样品1： 国产某厂生产N沟型场效应晶体管(图3)，经ESD试验后失效，试验的条件 在交叉偏光显微镜-VXgg．当反向偏压逐步增大，在栅一源30V、栅一漏3V各自的 击穿点时，栅一源、栅一漏间分别出现一异常热点，热,氮R-J-随反向漏电流的增大同 步扩大，见图6， 7中黑点，其中栅一漏间的热点正是原可疑点之处，可以初步判断 这两个热点对应的位置是ESD击穿点． ·206· t^嘲t-5t蜘t吨‘啊吐 ，褂^，＆^‘ 一j．AnT·^∞M ∞ ，Ⅲ 【ll ES -ESD后 ESD前·一 ESP早j卜卜 j枣卜 I ll I¨ } }I-I f¨ l}f I¨ l{卜 【U‘ I l U 1