第10章二极管和晶体管.pptVIP

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2015-08-03 发布于河南
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第10章二极管和晶体管.ppt

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10.1.2 N型半导体和 P 型半导体 10.1.2 N型半导体和 P 型半导体 10.2 PN结及其单向导电性 10.2.1 PN结的形成 10.2.2 PN结的单向导电性 2.PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置）二极管电路分析举例 10.4 稳压二极管 10. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件晶体管电流测量数据 10.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性截止区 (3) 饱和区 * * 第10章二极管和晶体管上一页下一页返回 10.1 半导体的导电特性 10.2 PN结及其单向导电性 10.3 二极管 10.4 稳压二极管 10.5 晶体管 10.6 光电器件 10.1 半导体的导电特性半导体的导电特性： (如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(如二极管、三极管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (如光敏电阻、光电二极管、光电三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强上一页下一页返回 10.1.1 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。例如：提纯后的硅和锗材料(四价元素）晶体中原子的排列方式硅单晶体中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子上一页下一页返回本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能愈好。温度对半导体器件性能影响很大。载流子:自由电子和空穴,成对出现半导体本身并不带电上一页下一页返回 1.N型半导体掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。上一页下一页返回 2.P型半导体掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子接受一个电子变为负离子空穴无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。上一页下一页返回多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差 P 型区 N 型区内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。扩散和漂移达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－－－－－－－－－－－－ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + －－－－－－－－空间电荷区，即PN结（耗尽层）上一页下一页返回 PN 结的形成 flash1 多数载流子的浓度差多数载流子的扩散空间电荷区少数载流子的漂移 …… 扩散 = 漂移形成稳定的 PN 结 PN 结的形成上一页下一页返回 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负外电场 I 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。内电场 P N －－－－－－－－－－－－－－－－－－ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 上一页下一页返回外电场 P接负、N接正内电场 P N + + + －－－－－－ + + + + + + + + + －－－－－－－－－ + + + + + + －－－ – + 上一页下一页返回 PN 结变宽外电场内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 I P接负、N接正温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。内电场 P N + + + －－－－－－ + + + + + + + + + －－－－－－－－－ + + + + + + －－－上一页

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