SiSiGeSi-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术与高分辨三轴晶X射线衍射.pdfVIP

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 Si/ Si Ge/ SiSOI 异质结构的同步辐射双晶貌 相术和高分辨三轴晶 X 射线衍射 1 1 2 2 2 马通达 　屠海令 　胡广勇 　邵贝羚 　刘安生 ( 1 北京有色金属研究总院 国家半导体材料工程研究中心 , 北京 　100088) (2 北京有色金属研究总院 国家有色金属及电子材料分析检测中心 , 北京 　100088) 摘要 : 运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶 X 射线衍射对经原位低温热处理的 Si/ Si Ge/ SiSO I 异质结构 ( ) ( ) 进行研究 ,发现 Si 层 004 衍射峰两侧半高宽 FW HM s 处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异. 对同步辐射双 ( ) θω 晶摇摆曲线中 Si 层 004 衍射峰的不对称性给予了解释 , 同时阐明了高分辨三轴晶 X 射线衍射 2 扫描曲线中 Si ( ) 层 004 衍射双峰与 Si 层衍射结构的对应关系. 关键词 : 同步辐射双晶貌相术 ; 高分辨三轴晶 X 射线衍射 ; 衍射双峰 PACC : 0785 ; 2920L 中图分类号 : TN 304054 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 降低退火温度对于获得高质量 Si Ge 层是有益的. 1 　引言 Huang 等人[ 6 ] 采用 B S G ( boronsilicat egla ss) 作为 衬底绝缘层得到了高质量应变弛豫 Si Ge 层并降低 将表面平滑且应变弛豫的 Si1 - x Gex 合金层作 了退火温度. ( ) ( ) 为“虚衬底”virt ual sub st rat e ,在其上可以获得使 同步辐射双晶貌相术 SRD T 作为一种无损表 载流子迁移率增加的应变 Si 层[ 1 ] . 符合上述条件的 征方法最早被用来研究 GaA s 衬底上 GaAlA s 外延 Si1 - x Gex “虚衬底”既可以在 Si 衬底上得到 ,也可以 层中的失配位错[7 ] . 比较位错的同步辐射双晶形貌 在 SO I ( silicononin sulator ) 衬底上得到. 为 了在 相及其理论模拟的结果发现二者十分吻合[ 8 ] . 双晶 S