侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错同步辐射表征.pdfVIP

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2015-08-05 发布于安徽
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29 Vol. 29, Supp. 2005 12 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS Dec., 2005 GaN * 1;1) 1 1 1 1 1 1 2 1 ( 100083) 2 ( 100049) (0001)MOCVD GaN , XRD GaN . GaN (MOCVD) X (XRD) 1 , . GaN , GaN , . , GaN . , , (SF) GaN , I , I E 3 , 1 [3] . 1 2 8 −2 , GaN ( 10 cm ). Kato GaN , 3.40—3.42 eV 6 −2 [1] [4—6] . 10 cm . 1997 , Nakamura 10,000h GaN , [6, 7]. [2]. , GaN . ( ), ( ). . , Ga 4 N , , N 4 Ga 1 . GaN 11—20 (a) I1 ; (b) I2 ; (c) . , {0001} E . 0001 AaBbAaBb . , {111} 111 , AaBbCcAaBbCc . GaN X , , , GaN X . * (2001AA313100) 1) E-mail: jchen@red.semi.ac.cn 37 — 39 38 ( HEP NP )