TiB2金属陶瓷与TiAl金属间化合物的扩散连接.pdfVIP

第24卷 第2期 焊 接 学 报 V。1．24 N。．2 2003年 4月 TRANSACTIONSOFTHECHINAWELDING INSTITUTION April 2003 TiB2金属陶瓷与 TiAI金属间化合物的扩散连接 李卓然， 曹 健， 冯吉才 (哈尔滨工业大学 现代焊接生产技术国家重点实验室 ，哈尔滨 150001) 摘 要：对TiB金属陶瓷与TiAl金属间化合物进行了扩散连接试验，研究了直接扩散 连接和采用Ni为中间层进行扩散连接的接头界面结构及工艺参数对界面结构和连接 性能的影响。直接扩散连接时，连接界面处生成了Ti(Cu，A1)金属间化合物，采用 Ni 为中间层进行扩散连接时，界面处生成了单层TiA1Ni金属间化合物层和两层 Ti，Al，Ni 扩散层共三层结构。直接扩散连接时，连接温度T=1223K，时间t=1．8ks，压力P=80 MPa时接头强度为 103MPa；采用 Ni为中间层时，连接温度T=1273K，时间t=1．8ks， 压力P=80MPa时接头强度为 110MPa。 关键词：TIB 金属陶瓷；TiAI；扩散连接；界面结构 李卓然 中图分类号 ：1(；457 文献标识码：A 文章编号：0253—360X(2003)02—04—40 0 序 言 在辐射加热真空扩散连接设备上进行，真空度为 1×10一Pa。焊后用拉剪试验评价接头的强度。将 Ti 金属问化合物具有 比重轻 (约为 3．8g／ 待测接头放在特制 的卡具 中在 INSTRONMOD— ELI186电子万能试验机上进行拉剪试验，试验时加 cm)，比强度高，刚性好 ，抗氧化性能和抗高温性能 好，高温强度高等优点，是具有很大潜力的高温结构 载速率为0．5mm／min。采用 日本产S一507扫描电 材料。而陶瓷材料 由于具有强度高，密度低 ，耐高 镜进行剪切断口分析及接头组织成分分析。用 日本 产 GEOLSUPPOBE733电子探针仪对接头的元素 温，抗腐蚀及耐磨等优异的物理性能和化学性能，亦 早已受到了高度的重视l1．2J。但随着航天航空工业 扩散及界面反应进行分析。 的发展，对高温高强度材料提出了愈来愈苛刻的要 求，单一材料已经不能满足需要 ．4J。如国内某型 号装置就要求实现TiB 金属陶瓷与 n 之间的连 接。该文采用扩散连接的方法对 TiB 金属陶瓷与 Ti 金属问化合物进行了连接试验，研究了直接扩 散连接和采用 Ni为中问层进行扩散连接的接头界 面结构及工艺参数对界面结构和连接性能的影响。 1 试验材料及方法 根据 实 际要 求，采用 TiAI金属 问化合物 Ti46AI2Cr2Nb和 自蔓延高温合成的TiB2金属陶瓷 进行扩散连接试验。其中Ti 为圆形铸件，TiB 金 图1 TIB2金属陶瓷微观组织 属陶瓷中含有一定量的Cu。图1为TiB 金属陶瓷 Fig．1 MierostruetureofTill2cermet 的微观组织。将 TiB 金属陶瓷和TiAI切成尺寸为 30mm×10mm×1．5mm的试件，将待焊面用砂纸 2 试验结果及分析 打磨至表面粗糙度Ra=6．3，进行搭接试验。试验 2．1 TiB 金属陶瓷与TiAI的直接扩散连接 收稿 日期 ：2003一Ol—l2 基金项 目：国家 自然科学基金资