拉曼光荧光光谱热壁外延生长GaAsSi薄膜晶体质量的研究.pdfVIP

第21卷，第4期 光谱学与光谱分析 vd．21，N0．4．pp498．499 222：至!盆 §唑2盟2篮z型§邕：型盆皇生鲨鎏磐蹬：；：22： 拉曼．光荧光光谱热壁外延生长GaAs／si薄膜晶体质量研究“ 谭红琳 张鹏翔 刘 翔 吴长树 昆明理工大学材料与冶金学院材料系．650051昆明 摘要本文研究了用热壁外延(HwE)技术在衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼(R跚an)和 光荧光(pL)光谱。研究表明：在室温下，GaAs晶膜的拉曼光谱的265廿T1‘1横声子(110)峰和290crn。1纵声子 (L0)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、研旷}Ⅱ“变窄且峰值频移变小，而PL光谱出现在 900 rⅡn光谱的nvⅫ订较窄，这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的c珧薄膜拉 曼光谱峰形好，但测不出PL光谱，所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们 可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。 主题词拉曼光谱．荧光光谱．半高宽，异质结 Si衬底上外延生长砷化镓(c勰)半导体薄膜材料，是目700℃左右生长大约2～3h后，再进行热循环退火，这样能得 前光电材料领域非常有意义的研究课题“，是未来光电集成 到表面为镜面光滑的GaAs／Si材料样品。 电路的主要材料．是第二代和第三代红外焦平面用替代衬底 1．2实验条件 的理想材料，也是廉价高效太阳能电池的理想材料。国外已 我们采用英国R曲w公司的MKI一1000型显微拉曼 采用设备昂贵、生长时间长、需制备有机化合物的金属有机物 光谱仪，Ar+激光器，波长为514．5nrn、狭缝2m、物镜50 气相沉积(M。CVD)和分子柬外延(恤)”方法在硅村底上 倍、累积次数1～3次、采集时间10～30s，控制样品表面上的 生长了砷化镓。而我们采用了比较便宜的热壁外延法 激光功率为1～3rrlw左右、线分辨率为0．1d11～。在室温下 (HwE)将GaAs生长在村底上．试图把该材料变得更便宜和 (300K)．把样品直接放在载物台上就可以在显微镜下采集拉 能大批量生产。 曼光谱，直接检测．．j。拉曼光谱在50～500crn-1频移范围内 要在Si硅村底上外延生长砷化镓(GaAs)层是非常困难 扫描，PL光谱在550～l000m波长范围内测定。因此在一 的。众所周知，s和GaAs之同晶格失配有4％，Si和c挑有 定激光功率照射样品条件下。用同一谱仪既可作拉曼光谱测 非极化和极化差异，而且GaAs的热膨胀系数大约是Si的两 定，又可作PL光谱的检测。 倍’3。=因此在s村底上的(hAs外延层拉伸应力非常强常常 本实验对我们生长条件不同的G池／si—01、【柚乜／si一02、 出现反向畴或者两者脱裂的现象．致使达不到材料制备的目 的。然而我们采用特殊的表面活化剂和适当的过渡层来减少 GaAs(厚0．8mm)为标样进行研究。 它们之间的拉伸应力，从而得到单晶质量较好的GaAs外延 晶膜。该材料的制备，我们在另一篇文章中叙述。这里主要 2实验结果和讨论 通过拉曼(R舢)一光荧光(PL)光谱来分析研究该材料的质 2．1热整外延生长的GaAs／si薄膜的PL光谱的分析 量．我们将Raman和PL光谱相结合来分析晶体质量，在测定 PL光谱时，友现与R锄肌光谱有一种相关的关系，从而提出 从图1中我们可以观察到室温下五种不同条件下生长的 用Ram姐一PL相结合，作为对单晶质量的一个分析手段。