氢原子和HSi100表面作用提取的氢分子角分布研究.pdfVIP

No．6 第46卷第6期 中山大学学报(自然科学版) VoL46 SUNYATSENINov．2a盯 2007年11月ACTASCIENTIARUMNATURALIUMUNIVERSITATIS 氢原子与H．Si(100)表面作用提取的 氢分子角分布研究· Marc2 阳生红1，CHATELET (1．中山大学光电材料与技术国家重点实验室／／物理科学与工程技术学院，广东广州510275； 2．Laboratoirede desInterfacesetdesCouches Physique Minces，CNRS，EcolePolytechnique， 91128Palaiseau Cedex，France) 摘 要：利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行 了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中，从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角 重构模型无关。根据硅表面重构机制，用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。 关键词：四极质谱仪；氢化Si(100)表面；脱附；氢分子角分布 中图分类号：0552．3+3文献标识码：A 文章编号：0529-6579(2007)06-0030-04 随着半导体技术的不断发展，对半导体器件 的加工愈加精细。作为微电子行业的基础材料，如 等”o发现碰撞诱导解吸附仅占6％的比例，而Shi- 何在硅表面上控制晶体生长，得到理想的量子阱、 超晶格等纳米级量子器件，一直都是理论、实验和 生产所关注的问题。由于在硅单晶的生长及提纯等 行了合理的解释。氢原子与氢化si表面作用可以 工艺过程中，经常使用硅氢化合物(如硅烷等) 破坏氢硅键，从而提取氢分子。对提取氢分子的角 和氢气，如在使用化学气相沉积或分子束外延生长 分布以及提取反应机制尚缺少必要的实验数据和合 薄膜时常使用氢气作为保护气使得基底表面氢化， 理的理论模型。本论文利用可旋转四极质谱仪 同时在空气和水蒸气中都有氢的存在，所以实际操 作过程中都不可避免地引人氢原子。而氢对硅表面 形成及附着原子的生长速度、方向等均有较大影 反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现 响，因此研究氢原子束与氢化硅表面的相互作用有 氢原子束与氢化Si(100)表面作用中，从氢化Si 重要意义。si(100)表面因其应用广泛和结构相(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布．并 对简单，而成为研究的基本模型和热点之一。 且脱附的氢分子角分布与si(100)表面温度和表 氢原子与金属表面作用已有大量的研究¨司J。 面重构模型无关。论文对实验结果进行了合理的解 根据已有的研究结果，氢原子束通过四种模式与表 释。 面发生作用：粘结、吸附、提取以及碰撞诱导解吸 1实验方法与样品 附。在氢原子与金属表面作用中，碰撞诱导解吸附 将从表面提取H：、D2、或HD分子。HD分子产生本实验是在高真空实验装置上完成的。该实验 的动力学机制包括直接提取(Eley—Rideal)和半装置主要包括样品引入室、清洗与表征室、储藏室 直接提取两种。在半直接提取机制中，入射原子在 和样品准备与实验室。除样品引入室外，其它真空 表面经多次反射，最后与表面吸附原子反应，产生 室的本底压强为10dP8。样品准备与实验室中装 H2、D2、或H