晶体硅太阳能电池的现状与发展.pdfVIP

晶体硅太阳能电池的现状和发展 旋正荣 无锡尚德太阳能电力有限公司 一、导言 在过去的七年里，由于各国政府，尤其是西方国家政府，为了推动新能源行 业的发展所制定的一系列鼓励政策，人们日益增强的环保意识以及技术水平的不 断提高，太阳能电池行业得到迅速发展，全球平均年增长率达30％，其中2000 年和2001年的年销售增长均超过40％，2001年的全球销售己突破400兆瓦大关， 是能源领域发展最快的一个行业¨】。 晶体硅太阳能电池仍占行业的主导地位，市场份额超过90％，尤其是多晶硅 太阳能电池的市场份额已远远高于单晶硅太阳电池的市场份额，由两年前的 50／50的比例发展到去年的52138【“，导致这一变化趋势的原因是由于多晶硅片的 生产能力远远大于单晶硅片的生产能力以及多晶硅太阳能电池转换效率的迅速 提高。由于太阳能电池的成本主要来源于硅片材料，且在短时间内硅材料成本下 降速度缓慢，因此不断提高太阳能电池的制造技术、提高转换效率是降低太阳能 电池生产成本的重要途径。本文介绍了近年来代表国际水平的单晶硅和多晶硅太 阳能电池的技术现状、技术发展趋势以及降低生产成本的途径，同时描述了太阳 能电池的特未来发展方向。 二、技术现状 自从六十年代太阳能电池作为能源应用于宇航技术以来，太阳能电池的技术 得到非常迅速的发展，单晶硅太阳能电池的转换效率已接近25％[2】’多晶硅太阳 能电池的转换效率已接近20％[21。图一描述了单晶硅太阳能电池转换效率的发展 过程。 导致电池转换效率提高的原因主要来自于以下几个方面： 1、材料质量的改善提高了光生载流子在电池体内的扩散长度和收集效率。 2、电池表面绒面和减反射膜的形成有效地提高了太阳光在电池体内的吸 收。 3、铝背场(BSF)的形成有效地减少了电池背面的表面复合速率。 4、磷吸杂、铝吸杂和体内的氢钝化有效地提高了多晶硅材料的质量。 5、二氧化硅和氮化硅对发射(emitter)结的表面进行了有效的钝化，从而减 少了电池前表面的复合速率。 6、选择性扩散，即金属电极下的发射结浓度远远大于其余发射结的浓度， 从而有效地抑制了电极区的复合速率，并提高了电池在短波处的光谱响 应。 图一单晶硅太阳能电池转换效率的发展过程 f％ Efficiency 一 0 - f 旬—一 ≯ ●UNSVf 釜 19‘ 19j0 20 lO 19{50 19{S0 rO 19j；O 基于以上提高电池转换效率的途径，派生了多种高效晶体硅太阳能电池的设 计和制造工艺。其中包括PESC电池(发射结钝化太阳电池)和表面刻槽绒面 PESC电池唑背面点接触电池(前后表面钝化电池)【4J：PERL电池(发射结钝 化和背面点接触电池)P]o由这些电池设计和工艺制造出的电池的转换效率均高 于20％，其中保持世界记录(24．7％)的单晶硅和多晶硅电池的转换效率均是由 PERL电池实现的。图二显示了单晶硅和多晶硅PERL电池的结构示意图。 图二单晶硅和多晶硅PERL电池的结构示意图 单晶硅的绒面是倒金字塔型的，而多晶硅电池的绒面是蜂窝型的。两种电池 的表面反射均低于4％。PERL电池的特征是有效地抑制了电池的体内、前后表 面以及电极处的复合，电池的前、后表面均采用高质量的SiO：进行钝化，前后 表面的电极均采用点接触方法。 广泛应用于大规模工业生产的太阳电池制