碲锌镉半导体材料进展和前沿.pdf

碲锌镉半导体材料进展与前沿 *** 2009.04 主要内容  CdZnTe 晶体介绍  主要应用  生长方法  生长技术难点  国内外研究现状  发展展望 CdZnTe介绍  碲锌镉晶体(Cd Zn Te ，简称CZT)是由CdTe 晶 1-x x 体发展而来  CdTe ：  电阻率较低，不适于在室温下工作；  作为HgCdTe 的外延衬底时也存在晶格失配问 题。  理论计算发现，在CdTe 中增加Zn可增强Cd-Te 化学键的稳定性，从而使得CZT 以较低的位错 密度生长；可调整晶格常数，增加其禁带宽度， 提高电阻率，弥补CdTe 晶体性能上的不足。 碲锌镉晶体的晶格结构  立方晶系，面心立方点阵， 43m 点群，F-43m 空间群。  具有与金刚石类似的闪锌 矿型结构，区别在于它是 由两类不同的原子组成面 CZT的晶体结构 心立方晶格，沿空间对角 线彼此位移四分之一长度 而构成的。  直接跃迁能带结构；  可视为Zn ：CdTe ；  CZT 晶体的室温禁带宽度 从1.47-2.26eV连续可调。 Energy band diagram of CdTe  禁带宽度大，低能量的红外光不能激发价 带中的电子向导带跃迁，因而不对红外光 产生本征吸收；  介电常数较小，红外透过时消光系数小， 故红外透过率较高；  晶格常数可随Zn含量的不同而加以调制， 可满足不同成分的HgCdTe （MCT）外延膜 的生长要求。 主要应用  生长高品质HgCdTe外延膜的理想衬底材料；  性能优异的红外激光窗口材料；  制作X射线与γ射线探测器；  制作量子超晶格CdTe/ZnTe 的外延衬底；  太阳能电池；  光电调制器等。 适合探测器的优异性能  平均原子序数大(48 ，30 ，52) ，密度高(约 3 5.8g/cm ) ，与低能光子光电效应强，对γ射线阻止 本领强，灵敏度高。  单个探测器的面积或单块组合的阵列探测器可以做 得很小，能为成像系统提供良好的空间分辨率。  禁带宽度大，可在室温下使用。  它与光子作用发生直接的能量转换，所产生的感应 电流，远大于闪烁晶体，有利于它在脉冲和电流两 种模式下工作。  较低的漏电流有助于它在低能混合电路和集成电路 中应用。 主要缺点  空穴收集性能较差；  空穴迁移率寿命积较小，光子能量增加时， 会出现能谱的持续软化现象；  谱图上能量峰不对称，峰谷比例减小，光 峰系数下降。  通过改进晶体生长技术提高晶体质量及通 过电子技术方面的改进来弥补。 单晶生长方法 主要分为薄膜生长和块晶生长两大类 生长技术难点  生长温度高，层错能低，容易受扰动影响 晶体质量  生长界面难于控制，容易形成晶体缺陷  由于Cd 的平衡蒸气压高，生长中易导致Cd 流失，使生长的晶体中产生Cd 空位或富余 Te沉淀  Zn组分的分凝系数大，晶体均匀性难于控 制 Phase diagram of Cd-Te binary system Phase diagram of Zn-Te