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第6章 场效应管及其基本放大电路 6.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管6.1.1 增强型MOS管 工作原理  工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 伏安特性曲线与电流方程 输出特性曲线 转移特性 6.1.2 耗尽型MOS管 结构 伏安特性 6.2.1 JFET的结构和工作原理 工作原理 工作原理 6.2.2 JFET的特性曲线 6.3.1 场效应管的主要参数 6.4.1 场效应管的直流偏置及静态分析 根据不同类型的场效应管对栅-源电压UGS的要求，通常偏置形式有两种： 一种是只适合耗尽型场效应管的自偏压电路， 另一种是用于各种类型场效应管的分压式偏置电路。 自给偏压电路 分压式偏置电路 6.4.2 共源极放大电路的动态分析 场效应管的微变等效电路 共源极放大电路的动态分析 场效应管的微变等效电路 共源极放大电路的动态分析 6.4.3 共漏极放大电路的动态分析 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： N沟道增强型MOS管 （1） VGS=0 ，没有导电沟道 VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。 VGS =0， ID =0 （2） ≥ 时，出现N型沟道 （a）当VGS＞VTh且固定为某一值，VGD=VGS－VDS ＞VTh，沟道分布如图，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 这时，ID随VDS增大。 VDS? ?ID ? （3）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （b）当VDS增加到使VGD=VT时，沟道如图所示，靠近漏极的沟道被夹断，这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。 VDS? ?ID 不变 （c）当VDS增加到VGD?VT时，沟道如图所示。此时预夹断区域加长，向S极延伸。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 (1) 截止区（夹断区） VGS VTh以下区域就是截止区 VGS? VT ID=0 (3)饱和区（恒流、放大区） 产生夹断后，VDS增大，ID不变的区域，处于恒流区的场效应管相当于一个压控电流源 (2)可变电阻区（非饱和区） 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻 由输出特性曲线作出转移特性曲线 N沟道耗尽型MOS管结构示意图和符号 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 结构 JFET结构示意图和符号 （1）当 uDS=0V时，uDS对导电沟道的控制作用 改变uDS的大小，就可以改变沟道宽窄，即导电 沟道的电阻，从而控制iD的大小。 （2）uDS对iD的影响 N沟道结型场效应管的特性曲线 1．直流参数 （1）开启电压Uth （2）夹断电压 UP （3）饱和漏极电流 IDSS （4）直流输入电阻 RGS 2．交流参数 3．极限参数 （1）输出电阻rds （2）低频互导 gm （1）最大漏极电流 IDM （2）击穿电压 6.4.2 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 6.4.2 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 6.4.2 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 6.4.3 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 3. 小信号模型分析 解：直流分析已求得： （2）放大电路分析 s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 s N沟道MOS管自给偏置共源放大电路 分压式偏置的共源放大电路 场效应管的微变等效电路 共源极放大电路的动态分析