第04章++常用半导体器件.ppt

三极管的制作工艺要求： 三极管的内部结构在制造工艺上的特点如下： （1）发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度； （2）基区很薄，一般为1μm至几μm； （3）集电结面积大于发射结面积。 三极管的分类：三极管按材料不同分为硅管和锗管。目前我国制造的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。不论是硅管还是锗管，NPN管还是PNP管，它们的基本工作原理是相同的。本结主要讨论NPN管。 4.3.2 三极管的电流放大原理 三极管的三种工作状态：通过改变加在三极管三个极上的电压可以改变其两个PN结的偏置电压，从而使三极管有三种工作状态：（1）当发射结和集电结均反偏时，处于截止状态；（2）当发射结正偏、集电结反偏时，处于放大状态；（3）当发射结和集电结均正偏时，处于饱和状态。 下面以NPN型三极管为例分析其电流放大原理。 1. 三极管内部载流子的运动 图4-19所示电路中，当电源电压VCC＞VBB且RB＞RC时，能保证发射结正偏、集电结反偏，即保证三极管处于放大状态。三极管的电流放大作用是通过其内部载流子的运动形成的。载流子的运动有以下三个过程： 图4-19 （1）发射区向基区注入电子 由于发射结正向偏置，载流子的运动主要以多子的扩散运动为主。发射区的多子（电子）不断通过发射结扩散到基区，基区的多子（空穴）也通过发射结扩散到发射区，如图4-19所示。这两种多子的扩散运动形成的扩散电流即为发射极电流IE。由于发射区的掺杂浓度远大于基区，因而IE主要以电子电流为主，空穴电流可以忽略不计。 （2）电子在基区的扩散和复合 发射区的电子注入基区后，靠近发射结附近浓度很高，离结越远浓度越低。由于浓度差电子将继续向集电结方向扩散，又由于基区很薄、杂质浓度低，电子在扩散过程中只有很少一部分与基区的空穴复合掉，形成基极电流IB n 。 （3）集电区收集电子 由于集电结反向偏置，有利于少子的漂移运动。从发射区注入基区的电子便成为了基区的少子，它们扩散到集电结附近后很容易在集电结电场作用下漂移到集电区，被集电区收集，形成集电极电流ICn。与此同时，由于集电结反向偏置，基区本身的少子（电子）与集电区的少子（空穴）将在结电场的作用下形成漂移电流，即反向饱和电流，称为ICBO。ICBO数值很小，可以忽略不计，但由于它受温度影响大，将影响管子的性能。 2. 三极管各电极电流之间的关系 在图4-19所示电路中，IB所在回路称为输入回路，IC所在回路称为输出回路，而发射极是两个回路的公共端，因此该电路称为共发射极放大电路，简称共射电路。此外还有共基极电路，简称共基电路，共集电极电路，简称共集电路。 由以上分析可知，三极管内部有两种载流子参与导电，故称为双极型晶体管。三极管三个电极电流IB、IC、IE分别为： IB = IB n - ICBO （4-1） IC = IC n + ICBO （4-2） IE = IC n + IB n =（IC n + ICBO）+（IB n - ICBO）= IC + IB （4-3） 图4-19所示电路中，当管子制成以后，IC与IB的比值是确定的，这个比值就称为共发射极直流电流放大系数 ，即 实际电路中，三极管主要用于放大动态信号。当输入回路加上动态信号后，将引起发射结电压的变化，从而使发射极电流、基极电流变化，集电极电流也将随之变化。集电极电流的变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值称为共发射极交流电流放大系数，用β表示，即满足 （4-5） 式（4-5）表明：三极管具有将基极电流变化量△IB放大β倍的能力，这就是三极管的电流放大作用。 在近似分析中可认为 ，故在实际应用中不再加以区分。 综上可得，图4-19所示共射放大电路中，三个电极电流的大小关系为：集电极电流IE最大，其次是集电极电流IC，基极电流IB最小，且满足IC≈IB。在放大电路的近似估算中，有时常将IB忽略。因此，