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第 56 卷 第 5 期 2007 年 5 月 物 理 学 报 Vol. 56 ,No. 5 ,May ,2007
( )
10003290200756 05 291005 ACTA PHYSICA SINICA 2007 Chin. Phys. Soc.
有机量子阱的光学性质
宋淑芳 赵德威 徐 征 徐叙
(北京交通大学光电子技术研究所 ,发光与光信息技术教育部重点实验室 , 北京 100044)
(2006 年 7 月 10 日收到 ;2006 年 10 月 24 日收到修改稿)
( )
采用多源有机分子气相沉积系统 OMBD 制备了Alq ,PBDAlq ,PBDAlq PBD 单层 、双层以及量子阱结构 ,利
3 3 3
用电化学循环伏安法和吸收光谱 、荧光光谱研究了量子阱的类型和样品的光致发光特性. 电化学循环伏安法和吸
收光谱的测量结果表明 ,PBDAlq3 有机量子阱为 Ⅰ型量子阱结构. 荧光光谱的研究结果表明 ,单层 Alq3 的光致发光
峰不随Alq3 厚度变化而变化 ;但是双层 PBDAlq3 结构光致发光峰随 Alq3 厚度的减小而发生蓝移 ; 同样对于 PBD
Alq PBD 量子阱结构光致发光峰随Alq 厚度的减小而发生蓝移. 对引起光谱蓝移的原因进行了讨论.
3 3
关键词 : 有机量子阱 , 光谱蓝移
PACC : 7280L , 7865T
量子尺寸效应引起的 ,本文制备了单层 Alq 、双层
3
1 引 言 PBDAlq 以及 PBDAlq PBD 有机量子阱结构 ,讨论
3 3
了量子阱的光学性质 , 以及引起光谱蓝移 的重要
自1968 年江崎等人提出半导体超晶格 、量子阱
因素.
结构以来 , 由于其奇特的电学和光学特性及在光电
器件等方面的广泛应用 ,半导体量子阱结构的研究 2 实 验
越来越受到人们的重视. 但对无机量子阱结构所用
的材料来说 ,需考虑两种半导体材料之间的晶格匹 ( )
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