德国TRENKER公司推出——制作高精度金刚石切割片的新方法.pdfVIP

维普资讯 2OO4年 8月 金刚石与磨料磨具工程 August．2OO4 总第 142期 第 4期 Diamond AbrasivesEngineering Seria1．142 No．4 德国TRENKER公司推 出—— 制作高精度金刚石切割片的新方法 NEW PROCF_S~FORMAKING DIAMOND PENETRATED HIGH PRECISION WI-IF~FLS 中图分类号：TQ164 文献标识码iA 采用的金刚石是 Micron—MDA(粒度为4—8wn)， 半导体材料如硅 、砷化镓等的高精密切割对金刚 和 Micron+SND(粒度为 10—25wn)，金刚石浓度可通 石切割片的精度和使用寿命要求极高。为了满足这种 过改变生长参数来控制。当切割片在氨基磺酸镍电解 要求，德国TRENKER磨料磨具技术公司开发了一种制 液中沉积生长完毕后，进行减薄加工至所需厚度，图3 作这种专用金刚石切割片的新方法。这种金刚石切割 所示为减薄加工之前的一组4个金刚石切割片。 片还可用于玻璃、宝石、陶瓷等材料的切割。 本工艺可生产以下尺寸的金刚石切割片(外径 × 硅片通常用于个人电脑，二极技术(运算放大器， 内径)： 家用电器的电路板)，场效应技术或半导体记忆元件。 2． ×1．0，， (61ram×25．4mm)． 硅片的制作加工费时，费力。从石英砂中提炼出硅以 2．4”×1．4” (61ram×35．6mm)， 后，需要经过所谓晶带熔融工艺对硅晶体进行取向，并 3．0，，×1．575”(76．2mm×40．0mm)， 去除所有杂质，从而获得直径为 300ram的单晶硅坯料 3．2”×1．4” (81．3mm×35．6mm)， (柱形坯体)。再将其切割成 lmm厚的硅片，然后进行 4．5”×3．5” (114．3mm×88．9mm)， 高精度平面磨削抛光，使厚度达到800wn。 4．7”×1．0，， (119．4mm×25．4mm)， 用于集成电路的硅片其加工难度特别高，耗时长 4．7 ×1．4” (119．4mm×35．6mm)。 达几个星期。晶片表面要经过光刻、掺杂，最终还经过 这些切割片 的厚度 范 围通常在 60wn到最大 金属化处理，通常这些加工都在绝对清洁的条件下，在 250wn之间。电镀成型后切割片的平面度公差可控制 某种气体保护下进行，加工温度通常约为1000℃。 在50tan。厚度公差控制在土5～10％。每个电镀工作 对加工后的硅片要进行缺陷检查，然后将其粘贴在 台可一次同时生产 4片直径 4．7”或 4．5”，或 5片直径 衬底上，用金刚石切割片按图形切割成几百片(根据硅片 2．4”，3．0，，或3．2”的金刚石切割片，根据开机时间的长 的直径而定)。用吸管将切好的硅片取下，放在相应的基 短，每个电镀工作台每天可生产4至30片金刚石切割 体上，然后将接触点的线与线盘端线连接。 片(见表 1)。除用于切割半导体材料外，这些切割片 加了使长达几个星期的加工之后出现的废品尽可 还可切割玻璃、兰宝石、陶瓷及类似材料。 能的少，硅片切割所用的金刚石切割片必须达到精度 表 1 每台电镀设备的生产能力 高，工作质量稳定，使用寿命长。 切割 片厚 度 生产效率 (片) 为了切割硅片，刀架上通常安装多达80片金刚石 (金 刚石粒度 4片固定装置 5片固定装置