含金刚石的复相过渡层及Al2O3衬底上金刚石薄膜的附着力.pdfVIP

维普资讯 2O04年 2月 总第 139期 第 1期 金刚石与磨料磨具工程 Feb．2( Diamond＆AbrasivesEngineering Seria1．139 No．1 文章编号：1006—852X(2040)01—0037—04 含金刚石的复相过渡层及 AI2O3衬底上金刚石薄膜的附着力 DEPOSm ON OFA NEW KIND OF COMPOSITE D TERIAYER CONTAINING DIAM OND PHASE AND ITSAPPLICATIoN IN ENIIANCING ADI-IF _~ION OFDIAM OND COATD SON ALUMINA SUBSTRATES 赵中琴 唐伟忠 苗晋琦 吕反修 李成明 陈广超 杨志威 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) ZhaoZhongqin TangWeizhong MiaoJinqi LuFanxiu LiChengming ChenGuangchao YangZhiwei (UniversityofScienceandTechnology ，Be0~ng100083，China) ， 摘要：采用微波等离子体化学气相沉积的方法，以H2和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料，在 H2(II)：H’(I，为带动 D4 的载气)的流量比23：1，P=5332．88Pa，Ts：850％左右的工艺条件下，制备了含有金刚石及一定量SiO2和sic的复相薄膜。 初步的实验结果表明，金刚石相可在该复相薄膜上继续生长 ，进而形成高质量的金刚石薄膜。同时，与在Al2o3衬底上直 接沉积的金刚石涂层相比，采用上述复相薄膜作为过渡层可明显地提高金刚石涂层对于Al2 陶瓷衬底的附着力。 关键词：金刚石薄膜；微波等离子体 CVD；复相薄膜；过渡层 中图分类号：TQ164 文献标识码：A AI】sl瑚d：Composite~flmscontainingdiamond，Si02andSiCphasesweredepositedfromH2andoctamethylcyclotetrasiloxane(D4) gasesby璐ingmicrowaveplasmachemicalvapordeposition(MPCVD)technique．Thetechnologicalconditionis：ratioof}l2(II)：H2 (I，the~niergasofD4)：23：1，P=5332．88Pa，Ts=850％．Preliminaryresultsindicatedthatdiamondgrainswouldcontinueto grow from suchcompositefilmsandhishq,~ tydima ondcoatingscouldthusbeproduced．Inaddition，hteadhesionofdimnondcoatings OilAl203substratescouldbe greatlyenhancde，whenhtecompositefilmswereusedasbondinginterlayer．comparedwihtthatofdiamond coatingsdepositde di,~tlyOilAl203substrates． Keywords：dimnondfilm；compositefilm；interlayer；microwaveplasmachemicalvapordeposition