化学机械抛光中抛光垫的研究.pdfVIP

维普资讯 2OO4年 1O月 金刚石与磨料磨具工程 October．20o4 总第 143期 第5期 DiamondAbrasivesEngineering Seria1．143 No．5 文章编号：1006—852X(2004)05—0040—04 化学机械抛光中抛光垫的研究 ST 【JDIY oN THEPERFORMANCESOFPOLISHD G PAD IN CHEMICAL— MECHANICAL PoLISHD G 魏 昕 熊 伟 黄蕊慰 袁 慧 (广东工业大学机电工程学院，广州 510090) WeiXin XiongWei HuangRuiweiYuanHui (FacultyofElectromechanicalEngineering，Guangdong UniversityofTechnology，Guangzhou510090，China) 摘要：抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液，并把它均匀运送到工件的整个加工 区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP 过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构，总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律，认为：抛光垫的剪切模量 或增大抛光垫的可压缩性，CMP过程材料去除率增大；采用表面合理开槽的抛光垫，可提高材料去除率，降低晶片表面的 不均匀性；抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去 除率趋于一致。与离线修整相比较，在线修整时修整效果比较好。 关键词：化学机械抛光；抛光垫；聚氨酯；修整 中图分类文：TG580．613 文献标识码：A Al~met：Polishingpad1S‘averyimportantcomponentofthechemical—mechanicalpolishing (CMP)system．Itdeliversslurrytothe waferworkpiceeandprovidespartofthemechanicalactioninhteCMPprocess．Theperformancesofapolishingpadaledeterminedby htetypenadproperties ofpadmaterials，thesurfacestructurenadstateaswellas hteconditioning param~ers． 111ispaperintroduceshte typenadpropertiesofpadmaterial，htesurfacestructurecurrentlyusednadsummarizeshteeffcetsofhtepolishingpadonhteCMP process．Thesummarizationshowsthatthema~rialreitloval rateincreaseswiht lowershearmodulusnadhighercompressibilityofthe polishing pad．Using htepolishing padwith~TOOVeSorroughersurfacesCna increasehtematerial removal nadplanariaztionrate ． Pad conditioning ，especiallyon—proc