錮錫氧化物(ITO)濺鍍靶材之製備與微結構的分析.pdfVIP

六、磁性材料与电工(电子)材料 729 铟踢氧化物(ITo)溅镀靶材之裂倩舆微秸棒分析 黄宏膀邱罩浩董寰斡洪胤庭 (中圆镧绒公司新材料研究鼗展虚) 摘要铟锡氧化物(11D)属光鼋麈品中所需薄膜透明鼋棰唇之溅镀材料，11D靶材的密度及弹鼋性是影警溅镀 制程及其薄膜特性的重要因素，本文臀弑以臻蒙成形和全氧烧秸制程束裂倩高密度、低鼋阻的ITD靶材。文中探封 镲浆成形畴，分散劁的覆颓、含量，及粉髓固含量封策料的黏度和生胚密度影警：全氧境秸睛，剐探封不同境秸温 度封11o靶材之密度和鼋阻率影警，监封烧秸後靶材的颞微桔榛遘行分析。研究颗示，使用聚丙烯酸鼓颓的分散剂 封rro蒙料有最佳的分散效果，翻配的lTO浆料之黏度可低於loocP而逋於绪浆成形，成形後可獾得57％的生胚密 焉№sn05)所租成，散怖相和第二相的大小和敷量可能宫影警ITD靶材之鼋阻率以及溅镀秸瘤(Nbdule)的生成程度。 阴键字铟锡氧化物：溅镀靶材：镲浆成形：全氧烧箱 1前雷 姻锡氧化物(Indium1协Oxide，ITO)属掺稚锡的氧化铟，属现今最被魔泛使用的透明溥鼋氧化物 (Tr趾sp涨mtConductingOxide，TCO)，其主要作属透明尊鼋膜，虑用在平面颢示器、髑控面板等光鼋 麈棠领域中。11-o透明蹲鼋膜的成膜方法有很多獯，包括物理的磁控溅鹱、真空蒸镀，以及化擘的 喷霾熟分解、溶膨．凝膨、化擘氯相沈稹111等，但考虑茼檠化畴要求之高薄膜品赁特性、大面稹成膜 可行性，及高成膜速率等因素，工棠上的量虚方式仍以DC磁控溅鹱属主，也因此，ITlo溅镀靶材 的需求量大，塞湾每年需求量豹300顺，虚值超通60德台帑【ZJ。 要裂作符合市埸需求的ITO靶材蓝不容易。首先，11．o靶材要有高的烷秸密度和低的鼋阻率， 因属低密度和高鼋阻的11o靶材在溅镀畸，靶材表面很容易麈生被稻属秸瘤(Nodule)的黑黠物赁颗 粒p4j，且随著溅镀畴筒增畏，靶面秸瘤敷目愈多，造成巽常放鼋(觚ing)情形殿重，因而劣化镀出 薄膜的性赏；属此须将溅镀檄停撬，韭将靶材卸下，再以研磨方式清除遭些箱瘤，如此又尊致了虚 腺之鹰能下降。此外，现今颞示器面板愈做愈大，萄用ITO靶材除了须符合高密度、低罨阻的基本 性赁外，邃要有大的靶材尺寸(一般畏×宽≥1000cmZ)，以减少整套靶材之稳蓝接敷，适是因属靶材 之监接黠亦属秸瘤易崖生魔。然而，要裂作大尺寸、高密度、且烧秸後翘曲燮形量低的11o陶瓷靶， 粉末的成形和烧秸制程之技衍鞋度都高，遭些技衙_{i田筋早期多掌握在日本靶材廒手襄。 一般而雷，大尺寸的IT．o靶材可使用雨獯生胚成形方法，一穗属用冷麈+冶均匿(CIP)的方式逢 行成形：另一獯属将粉末嗣配成液憋策髓，逢行镭菜成形(slipC嬲恤曲。冶攫+CIP使用喷霾造粒的 ITO粉末，先作冷麈成形，再迤行CIP以均匀地提高生胚密度，骸法雎制程较属筒罩，但因大尺寸 成形，须使用大顺敷的成形蜃横和CIP，彀荫均非常昂贵：绪紧成形则是生麈彀俯非常便宜，但裂 造程式包括粉末浆料翻配、鳞浆成形、乾燥等，制程参敷多且梭雅。在靶材烧秸方面，由於ITCI在 730 2011年全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会论文集 秸楼槽燮得明颢，造成IT．o不易烧秸微密，因而烧秸密度燕法提高。遇去雎有添加微量MgO¨1、 Ti02【8】、Bi203例等烷秸助剖的方式束提升烧秸密度，但邰畲造成靶材和薄膜的鼋阻率上升。目前工 棠上属有效抑制ITO在高温的撺登，多以正膣、全氧氯的瑕境下遭行烧秸，在逋常的参敷控制下， 此法可獾得98％以上之烧秸密度，但因在正匿的氧氯瑕境下逢行高温烧桔，具工安危险性，故多使 用园外特殊殷种、昂贵的烧秸煊。 栋合上述文献整理可知，11D靶材属裂造毅镛成本相喾高的麈桨，大顺敷冶匿横、CIP及正氧 麈烷秸埴等均相喾昂贵，故本研究曹弑以彀筛成本较低的鳞策成形法束裂作小尺寸的ITO生胚，韭 使用圆内裂造的正氧厦烧秸墟乘逢行靶材的烧秸研究：另外，封烧秸後之靶材则遭行微觏祖藏分析。 希望藉由本寅黢能建立重要的制程参敷，韭嘹解11．o靶材之颞微穑耩，以利於後檩大尺寸ITO靶材 之研鼗。 2寅黢方法 2．1筛菜成形 粉和、比表面稹大，粉末凝囤情形殿重。属獾得分散良好的铸柴成形可用荥料，将IT0粉末舆六租 茼用分散剖加水逢行混合，疆遇12小畴的球磨分散後，以黏度针(IⅥ)v-I