湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 V0】．37 No．3 2008年6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYsTALS June，2008 湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺 陷表面形貌 杨 莺，陈治明 (西安理工大学 电子工程系，西安 710048) 摘要：采用湿法腐蚀工艺，对 PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。利用熔融态 KOH和K2CO，作为腐蚀剂， 通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法，获得了良好 的湿法腐蚀工艺参数 。用CCD光学显微镜和 SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌。结果表明，最佳腐蚀工艺参数为K2CO3：KOH=5g：200g，44O~C／30rain。腐 蚀以后(0001)Si表面可以清晰地观察到微管、基面位错、螺位错和刃位错。实验还发现 晶片表面抛光质量会影响 腐蚀后SiC表面的形貌。 关键词：碳化硅 ；缺陷；腐蚀 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2008)03-0634-05 DefectCharacterization ofSiC byW etEtchingProcess YANG Ying，CHEN Zhi-ming (Dep~mentofElectronicsEngineering，Xi UniversityofTechnology，Xi 710048。China) (Received23September2007) Abstract：Wetetchingprocesswasused to investigate thedefectsofSiC grown in PVT method．The optimizedwetetchingprocessparameterswereobtained．Th emoltenmixturesofKOH andK2CO3in differentratioswere usedasthe etchants．Th eSiC sma pleswere etchedatdifferenttemperaturefor differenttime．Th emorphologyofhteetchedsampleswasobservedinSEM andopticalmicroscopewitha CCD camera．Th eresultshow thattheoptimizedwetetchingprocesspraametersraeK2CO3：KOH =5g ：200g，44O ℃ ／30min．Micropipes，basal planedislocations，screw dislocationsandedgedislocations areverycleraon(0001)SifaceofSiCetchedbytheoptimizedprocess．Theexperimentsalsofindhtat htepolishingqualityCallaffectthemorpholoyg ofetchedSiC． Keywords：SiC；defect；etch 1 引 言 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，性能卓越，可用于制作工作在极限条件下的半导体器件和电路， 在高频、高温、大功率等方面都有广泛应用。尽管优点众多，但仍然无法与硅基器件的质量相媲美，因为器件 的质量首先取决于材料本身的质量，目前碳化硅晶体中存在的各种缺陷已经成为碳化硅基器件发展的羁绊， 可见对碳化