Co%2fITO多层膜的巨磁电阻效应及Fe%2fCr双层膜的磁学与磁电阻效应.pdf

两南大学硕十学伊论文 摘要 n o n 皇曼吕曼曼曼曼曼曼曼曼曼曼!曼曼!曼曼曼曼曼曼曼鼍曼曼曼曼曼皇曼曼曼皇曼曼n ． !皇曼曼鼍 Co／ITO多层膜的巨磁电阻效应 及Fe／Cr双层膜的磁学与磁电阻效应 凝聚态物理专业硕士研究生：李定国 指导教师：陈鹏教授 摘 要 本论文简单介绍了半导体白旋电子学和磁电阻效应的一些研究进展，分析了几种常见的 巨磁电阻效应系统。实验以ITO作为非磁层，采用磁控溅射技术制备了系列Co／ITO多层膜 和用离子束溅射方法制备了Fe／Cr双层膜等多种磁性薄膜样品。 本论文通过磁控溅射法制作了的Co／ITo多层膜系列样品，详细介绍了样品的制各、结 构表征和测量过程。用振动样品磁强计(VSM)测量样品的磁性；用微电阻测试系统对样品 在不同温度下的磁电阻等相关特性测量。系统地研究了磁电阻效应随温度的变化关系及其影 响机制。室温下在非磁性层IT0的厚度为2nm的样品中巨磁电阻值为1．8％．在12．5K时，巨 磁电阻值为4．3％．我们认为Co／IT0多层膜样品中GHR效应来源于相邻磁性层的反铁磁性耦 合。同时测量了巨磁电阻值随温度的变化关系，发现GblR值在低温下接近于一个常数值，在较 高的温度到室温之间，随温度的升高而近线性的下降． 本论文通过离子束溅射的方法制作了Fe／Cr双层膜系列样品，系统的讨论了双层膜由于 生长顺序不同下的磁学性质，发现在Fe／Cr双层膜中与在Cr／Fe双层膜中，先生长一层Cr膜 的矫顽力要偏大。当Cr的厚度在25nm附近时，铁磁层的矫顽力及偏置会出现一个峰值。220K 发生的反铁磁耦合。并发现随着温度降低，磁电阻逐渐增大． 关键词：多层膜巨磁电阻双层膜反铁磁耦合 阳甬大学坝十宁1市论又 Abstract iI曼曼皇曼曼曼曼曼曼曼!皇曼曼曼曼曼曼曼曼曼皇曼曼曼量曼曼曼曼曼曼曼曼曼曼曼 曼皇曼皇曼曼曼曼!皇曼曼曼曼曼曼曼曼曼曼曼皇曼!曼曼皇曼曼曼曼皇曼曼曼曼曼曼曼I and Magneticproperties inCo／ITO magnetoresistance andFe／Cr multilayersbilayers or：CondenseMatter Maj Physics 120063 Li(1 Author：Dingguo Chen Advisor：Prof．Peng Abstract Inthis andmechanismofseveralkindsof thesis，thedevelopment，matter effectare and were DC generallybriefly．Co／ITO preparedby magnetron presented