深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型.pdfVIP

深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型 1,2 1 2,* 刘文 ，王思浩，黄如 1北京大学深圳研究生院 集成微系统科学工程与应用重点实验室， 深圳518055 2北京大学微电子研究所，北京100871 通讯作者：ruhuang@pku.edu.cn 摘要：本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照 [6] Esqueda 等作者通过定义辐照在STI区氧化 引起的 NMOS 器件寄生管泄漏电流模型，该模型 层内引入的固定正电荷的空间分布来确定 将辐照对 MOS 器件的影响直接体现为寄生管阈值 漂移与辐照剂量之间的依赖关系，避免了对STI 区 辐照后寄生晶体管的阈值电压漂移量，