换流阀内雷电冲击电压的分布及影响因素.pdfVIP

2002年3月 高电压技术 第28卷第3期·I· 94、P口口口口口dm口、pq 2研究与专题论述2 *d}p口、p口、p口口十、p口每 换流阀内雷电冲击电压的分布及影响因素’ in DistributionaHVDC Valveunder Tests Voltage Thyristor LightningImpulse and Factors Influencing 赵中原1，邱毓昌1，方 志1，于采明2，王建生2，马振军3 (1．西安交通大学电气工程学院，710049；2．西安高压电器研究所。710077；3．西安电力整流嚣厂，710(：77) 精 鼻在探讨可控硅换漉阀内暂态过电压分布特点的基 压的幅值不很高，这些电压的快速前沿部分产生的 kV三 础上建立了阍体的嵌套等值电路攘型。通过对土500 容性结点电流将使阀可控硅误导通”“j。 蛱一常州直流输电系统的可控硅换流阎的计算．分析了阀参 数及分布参数对冲击电压分布的影响，并提出了改善电压分 本文提出了一种计算这类过电压的模型。通过 布的措施． 对±500kV三峡一常州直流输电系统用可控硅抉 AlbtraetAn circuitmodelo{a is equivalent thyristor-Jalve 流阀的计算来分析阀参数和分布参数对冲击电压分 oft detailed characteristicsofits established，throughstudy 布的影响．提出可供选择的改善电压分布的措施。 transient distributions．Theinfluenceofvalve overvohage andthevalueof on parameters capacitance stray lightning 1等效模型 hasedoncalcu(atiou impulsevoltagedistrihution诘analyzed ofthe valveusedfortheThree tbyristor Gorges— 图1是典型的阀体电气布置图。 kVDCtransmission Changzhou±500 line．Optima]men— suresfor oftransientdistributionare improvementvoltage recommended． 美■谰可控硅按流阍冒电冲击丹布参数暂态特性 回=牛+回+回+卫 words valve thyristor impulsestraypa— Key lightning rameterstransientcharacteristics 中田分类号TM712文棘标识码A 0引育 吨日_巨乎+园·园+固 三相桥式可控硅换流阀在运行中要承受来自 交、直流系统的各种过电压。雷电过电压一般不会直 TL：晶罔臂单元；HS：散热装置；VS；网单元；IS：绝霉籍搠5 接作用到换流阀上，困交流侧有换流变压器隔离，直