掺锡氧化铟纳米粉体制备的研究进展.pdfVIP

掺锡氧化铟纳米粉体制备 的研究进展 ／孙本双等 ·161 · 掺锡氧化铟纳米粉体制备的研究进展 孙本双 ，侯俊峰 ，李军义 ，周科朝 (1 西北稀有金属材料研究院，石嘴山 753000；2 中南大学粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083) 摘要 掺锡氧化铟纳米粉体 由于其独特的性能，在 电光领域得到广泛应用。概述了制备 纳米级掺锡氧化铟粉末的 主要方法，并阐述 了不同合成方法的工艺及特点，同时指出了高品质掺锡氧化铟粉末制备的发展趋势。 关键词 纳米 ITO粉体 制备方法 前驱体 中图分类号：TFI25．3 文献标识码 ：A Research ProgressinPreparationofSn—dopedIn203Nan0particles SUN Benshuang，HoU Junfeng ，LIJunyi，ZHOU Kechao。 (1 NorthwestRareMetalMaterialsResearchInstitute，Shizuishan753000；2 StateKeyLaboratoryofPowderMetallurgy， CentralSouthUniversity，Changsha410083) Abstract Duetoitsuniquecharacteristics，Sn-dopedIn2O3nanoparticleshaswideapplicationsinelectrolumines centdevices．Inthispaper，themethodsofpreparingSn-dopedIn2O3nanoparticlesaredescribed．Thevarioussynthesispro— ceduresandthecharacteristicsaresummarized．Inaddition，thepreparationdevelopmenttrendsofnanometerSn-dopedIn203 powdersispresented． Keywords nanosizedITO powder，preparationmethod，precursor 600℃煅烧，最终生成 20～50nm 的ITO粉末。该法是制备 U 刖 罱 ITo粉最为普遍 的方法 ，通过控制 pH值 、反应温度以及调 掺锡氧化铟 (通称 ITo)具有高 电导率(10Q ·cm ) 整沉淀剂的种类 ，可制备出尺寸、形貌、晶粒取向不 同的纳米 和可见光透过率(85 ～90 )等属性[ ，在电子和光子材 ITO粉体 一 。 料领域得到广泛应用。ITO薄膜可用来制备平板显示器、太 1．2 溶胶一凝胶法 阳能电池及集热器 、微波屏蔽及 防护装置 、挡风玻璃 的热反 溶胶一凝胶法是利用金属醇盐的水解聚合反应生成金属 射屏等。制备 ITO薄膜 的主要方法有磁控溅射、溶胶一凝胶 、 氢氧化物或金属氧化物的溶胶 ，再浓缩处理成具有一定网络 化学气相沉积等，其中磁控溅射是制备 ITO薄膜的主流方 结构的凝胶 ，经干燥后热处理可制备 出超细纳米粉体 。Min- 法 ，这就需要有高品质的 ITO靶材 ，而 ITO粉是决定靶材质 KyuJeon等口 以InC1。、SnC1为反应物、丙烯醇为溶剂 ，磁 量的关键 因素 “]。在靶材制备工艺中，对 ITO粉的要求是 ： 力搅拌 24h后水浴加热并调整 pH值形成溶胶 ，除去 Cl一后 纳米级、粒度分布窄、松装密度高、流动性好且具有组分 的高 通 N：并加热至 200oC制得前驱体，在 800℃热处理可制得 均一性 ]。为了满足这些要求 ，研究者用不 同方法制备 了 30~50nm 的ITO粉体 。MotoyukiT