金属有机化学气相沉积法生长AlN／Si结构界面的研究.pdfVIP

金属有机化学气相沉积法生长A1N／Si结构界面的研究／于乃森等 ·73 · 金属有机化学气相沉积法生长 AIN／Si结构界面的研究 于乃森 ，苗 雨 ，王 勇。，邓冬梅 ，刘东平 (1 大连民族学院理学院光电子研究所，大连 116600；2 香港科技大学电子工程系，香港) 摘要 采用金属有机化学气相沉积法在 Si(1l1)衬底上生长 了A1N外延层。高分辨透射 电子显微镜显示在 A1N／ 界面处存在非晶层，俄歇 电子能谱测试表明 有很强的扩散 ，拉曼光谱测试袁明存在 Si—N键，另外光电子能 谱分析表明非晶层 中存在 sisN 。研究认为MOCVD高温生长造成 si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非 晶SN 层也将促使 A1N层呈岛状生长。 关键词 金属有机化学气相沉积 氮化铝 非晶层 InterfacialStudiesofAIN／SiStructureGrownbyMetalOrganicChemical VapourDeposition YU Naisen ，MIAO Yu ，WANG Yong ，DENG Dongmei，LIU Dongping (1 InstituteofOptoelectronicTechnology，SchoolofMathematicsandPhysicsDalianNationalitiesUniversity，Dalian 116600； 2 DepartmentofElectricalandElectronicEngineering，HongKongUniversityofScience Technology，HongKong) Abstract A1N epilayerisgrownonSi(111)bymetalorganicchemicalvapourdeposition(MOCVD)．High resolutiontransmissionelectronmicroscopyshowstheamorphouslayerintheinterfaceofA1N／Si．Meanwhile，Siatom diffusionisdetectedbyaugerelectronspectrum．Ramanspectrum andX-rayphotoelectronspectroscopyshow theexis- tenceofSi—N bondandSi3N4in theamorphouslayer，whichwillpromoteislandgrowth forA1N layer．Itcanbeas— sumedthatthehighertemperaturecausingSiatom diffusiontoreplaceA1atom isthemainreasonfortheamorphous layerformation． Keywords MOCVD，A1N，amorphouslayer 为 Si(111)，首先将 sj片用 HF溶液 (5A0HF)浸渍 1~3min除 0 引言 去表面氧化层，采用三甲基铝 (TMA1)为 Al源 ，高纯 NHs气为 A1N化合物半导体具有宽带隙 (6．2eV)、大热导率、高硬 氮源，氢气为载气。外延生长过程如下：首先在 1200℃氢化 度、优 良的热稳定性和化学稳定性等特点 ，在紫外探测器、紫外 10min，然后在 1050℃生长AlN层，NH3流量为 3．5sccm，通过 发光二极管、高频大功率高电子迁移率器件等光电器件中有着 原位反射谱控制生长，使其厚度控制在 30nm。采用高分辨透射 重要的应用I1]。另外，A1N作为异质外延的缓冲层，其晶体质 电子显微镜对 A1N／Sj界面进行表征；采用拉曼光谱 、俄歇电子 量和表面形貌对外延在其上生长的其它材料