磁控溅射技术制备A1203掺杂ZnO透明导电膜的性能.pdfVIP

· 322 · 材料导报 2011年 5月第25卷专辑 l7 磁控溅射技术制备Al2O3掺杂ZnO透明导电膜的性能 田 力 ，唐世洪 (吉首大学物理科学与信息工程学院，吉首416000) 摘要 以纯度为 99．9 的98 (质量分数)ZnO、2 (质量分数)A12Os陶瓷靶为溅射靶材，采用射频磁控溅 射法在玻璃衬底上制备了Alz03掺杂的Zn0薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测 试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对 zA0薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明，在衬底温 度200℃、溅射时间30min、负偏压 6OV、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81 ，最低电阻率为9．2× 1O一Q ·am。 关键词 ZnO 磁控溅射法 衬底温度 溅射偏压 退火工艺 PropertyResearchofAluminum Oxide-dopedZincOxideThinFilms Preparde byRadio-frequencyM agnetronSputtering TIAN Li．TANG Shihong (CollegeofPhysicsScienceandInformationEngineering，JishouUniversity，Jishou416000) Abstract Ingeneral。flatsurfacezinco)i【dethinfilmswithouttexturedstructurearegrownviamagnectron sputteringmethods．HighpuritymetallicZnO (99．9 )and2wt A1203usedassourcematerials，texturedsurfacea— luminum-o)i【de-dopedzincoxide(ZA0)thinfilmswerepreparedbyradiofrequency (RF)magnetronreactivesputte— ringoncommonfloatingglass．Theinfluenceofdifferentsubstratetemperatures，sputteringbias-voltages，annealing technologiesonthemicrostructure，photoelectricpropertiespropertiesofZnO filmswasinvestigatedbyusingX-ray diffraction (XRD)，scanningelectronmicroscope(SEM)andUV—vis lespectrophotometer(UV—Vis)．Theresults show thatthefilm preparedatthesubstratetemperatureof200℃ ，sputteringtimeof30min，bias～voltageof60V，an— nealingtemperatureof300℃ exhibitesalowestresistivityof9．2×10 Q ·cm andaveragetransmittanceofover81 invisiblerange． Keywords ZnO，magnetronsputtering ，substratetemperature，sputteringbias—voltage，annealingtechnology 0 引言 1 实验 Al20。掺杂ZnO(ZA0)薄膜具有ZnO薄膜的六角纤锌 1．1 薄膜的制备 矿结构，在可见光及近红外光区具有优 良的光透过率、红外 采用JGP-450A型超高真空磁控与离子束联合溅射设 光