磁控溅射中工艺参数对ZnO：Al薄膜性能的影响.pdfVIP

磁控溅射中工艺参数对ZnO：A1薄膜性能的影响／徐 玮等 ·387 · 磁控溅射中工艺参数对 ZnO：Al薄膜性能的影响 徐 玮 ，于 军 ，王晓晶 ，袁俊明 ，雷青松 (1 华中科技大学电子科学与技术系，武汉 430074；2 湖北省光伏工程技术研究中心，武汉 430074) 摘要 利用射频磁控溅射法，采用氧化锌铝 (98 ZnO+2 A1203)为靶材，在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO； A1)薄膜，研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。采用X射线衍射仪、场扫描电镜对 薄膜的结构及表面形貌进行 了分析 ，采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行 了测试。结果表明， 当溅射功率为 120W、衬底温度为3oo~C、工作气压为o．5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能，可见光平均透过率 为 88．21 ，电阻率为8．28×10 Q ·cm。 关键词 磁控溅射 陶瓷靶材 电阻率 透过率 ZnO：AI薄膜 中图分类号：TK514 文献标识码：A EffectsofProcessParametersonPropertiesofZnO ：AlThinFilmsby M agnetronSputtering XUWei，YUJun ，WANGXiaojing’，YUANJunming，LEIQingsong (1 DepartmentofElectronicsScience＆ Technology，HuazhongUniversityofScience Technology，Wuhan430074； 2 HubeiPV CenterofEngineering＆ Technology，Wuhan430074) Abstract Thinfilmsoftransparentconductivealuminum-dopedZnO aredepositedontheglasssubstate1)y theRFmagnetronsputteringmethodwithtargetofA1ZnO(98 ZnO+2 A1203)，theeffectsofprocessparameterson structureandopticalandelectronicalpropertiesofZnO ：A1thinfilmsareinvestigatedbyXRD，SEM ．UV—visblespec— trophotometryandfour-pointprobemethod．Experimentalresultsindicatethatthefilmspreparedatsubstratetempre— tureof300℃ withRF powerof120W andworkingpressureof0．5Pahavegoodopticalandelectronicalproperties。av— eragetransmittanceof88．21％ intherangeofvisiblelightandresistivitiesof8．28×10一Q ·cm． Keywords RFmagnetronsputtering，ceramictarget，resistivities，transmittance，ZnO ：A1films 分解法_6]、分子束外延法[7]等。相对于其它制备技术，溅射法具 0 引言 有成本低，制备温度低，薄膜的附着性、均匀性和致密性均较好 透明导电氧化物 (TCO)薄膜 以其优异的光电特性广泛应 等优点。目前，超过 1／2的ZAO薄膜采用溅射法制备。 用于各种光电器件中，如平面显示器、太阳能电池、节能窗口材 本实验以氧化锌铝 (98 ZnO+2 Alz03)为陶瓷靶材