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工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响.pdf
第32 卷 第12 期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vol. 32 12
1998 年12 月 JOURNAL OF XIAN JIAOTONG UNIVERSITY Dec. 1998
*
吕振林 熊流锋 黄清伟 高积强 金志浩
( , 71 49, )
对碳化硅 粒尺寸工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究. 试验结果表明:
随着碳化硅 粒尺寸的减小, 生坯成型压力增加, 烧结气氛压力增大, 碳化硅电阻率也增大, 且烧结
温度对电阻率的影响不大. 同时, 对不同烧结工艺下显微组织与电阻率的关系进行了分析讨论.
碳化硅 反应烧结 导电性
TQ174. 5
Effect of Sintering Parameters on the Conductivity of Reaction
Formed Silicon Carbide
L u Zhenlin X iong L iuf eng H uang Qingwei Gao Jiqiang Jin Zhihao
( Xian Jiaotong U niversity, 71 49,Xian)
Abstract The effects of silicon carbide particle size, processing parameters on conductivity of reaction
forming silicon carbide have been investigated. The results show that silicon carbide resistivity increases
w ith decrease of particle size and increase of pressure of forming precursor and sintering atmosphere.
But the effect of sintering temperature could be ignored. The microstructure and resistivity of silicon
carbide are also discussed.
Keywords silicon carbide reaction sintering conductivity
, .
,
. , .
.
, , 1
[ 1]
, SiC ,
[ 2~ 4] . , ,
2 mm ! 5 mm , ,
: : , 1963 1, , ; , .
* (59772 13) .
12 : 71
, 1 55 # ,
. . , ,
, 1 . 1 mm, . 4 125 #m 11 MPa
,
V 1 1 1 1 - 1 , , ,
= 2!I s 1 - s1 s2 - s2 s3 s 3
. 5 125 #m
( 1) 11 MPa 1 55 #
s 1= s2= s3= . 1 cm , . :
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