InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究.pdfVIP

维普资讯 第33卷第 l2期 光电工程 Vo1．33，No．12 2006年 12月 Opto—ElectronicEngineering Dec．2006 文章编号：1003—501X(2006)I2-0141—04 InP层对正面及背面入光PIN探测器 响应度影响研究 杨 集，冯士维，李 瑛，吕长志，谢雪松，张小玲 (北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京 100022) 摘要：InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射，使 lnP层对 InGaAs／InPPIN 探测嚣的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度，并与测量 的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较，分析了InP层对正面及背面入光 PIN探测器响应度 的影响。结果表明，随着InP层厚度的增加，响应度峰与峰的间隔△ 不断减小，波形越来越密集。 所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显，且随着InP层厚度的增加，响应度极值对应的波长 发生红移 背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。 关键词：InGaAs／lnP；PIN探测器；响应度；InP盖层 中图分类号：TN36 文献标识码：A InfluenceoflnPlayeronresponsivityofthefrontandbackilluminated PIN photodiodes YANGJi，FENGShi-wei，LIYing，LUChang-zhi，XIEXue-song，ZHANGXiao—ling fSchoolofElectronicInformation＆ControlEngineering, BeringUniversityo／、Technology，Bering100022，China) Abstract：TheInPcaplayercouldhaveimpactsonresponsivityforitsabsorbinglossesandreflections ofmulti*layers．Both the responsivity ofthe rfontand back illuminated photo diodes and the transmittancespectl’um ofInPsampleweremeasured．Accordingtothesemeasul’edresultsandthe simulationresultsofthereflectionsofmulti—layers，theinfluenceoflnPcaplayeronresponsivitywas investigated．FheresultindicatedthattheA2 betweenresponsivitypeakandpeakbecamesmallerwhen thethicknessofInPwasincreased Soresponsivityspectrum ofrfont-illuminatedphotodiodeshoweda fluctuantcurve，andthewavelengthofl’esponsivityextremum wasred—shiftwhenweincreasedthe thicknessofInPcaplayer．Forback-illuminatedphotodiode．the△ betweenpeakandpeakwasvery small，SOtheresponsivity spectrum showedflat．Inaddition，theabsorptionofInPmate1’ialenhances obviouslywhenwavelengthismorethani590nm． Kcywords：InGaAs／