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光电工程
维普资讯
第27卷第3期 光 电工程 Vo】_27。 No.3
2000年 6月 0ptO—ElectronicEn~ineerin June,2000
文章编号 :1003--501X(2000)。3一O001--03
二元光栅照明对光刻系统
成象特性的影响
歹)/ 罗先刚
, 姚汉 ,陈旭南,冯伯儒 ,)
r /
(中国科学院光电所技术研究微细加工光学技术国家重点实验室 ,四川I成都,610209)
摘要 :针对光刻系统分辨力和焦深的矛盾 ,详细研 究了二元光栅 照明对硅 片上光强以厦对光剥系
统传输频率的影响.结果表 明,二元光栅照明可显著提高光强的对比度.改善成象系统的频率传
递函数 ,是一种比较理想的离轴照明技术。
关键词 :光割 系统;:元光栅照明;成象特性 ;光强度 {传递函数
中国分类号:TN305.7 文献标识码:A
TheInfluenceofBinaryGrating Illuminationon
ImagingPropertyofPhotolithographicSystem
LUO Xian—gang.YAO Han—rain,CHEN Xu—nan.FENG Bo—rll
(StateKey1~boratoryfJ}Optical7ethnologyfor
,~4icrofabrication。InstituteofOpticsandElectronics.
(hineseAcadem3rJ,Sriences.Chengdu6】0209,Chinaj
Abstract:In view ofthecontradiction between theresolution and focatdep!h ofthe pho
tolithographic system ,the influenceofbinary grating i[1umination on lightJntensitY ofthe
waferandtransmissionfrequencyoftheph。t0hth0gfaphicsystem arestudiedindelail.There
sultsshow thatthecontrastoflightintensityandthefrequencytransferfunctionoftheimaging
system canbeobviouslyimprovedbybinarygratingillumination.Itisanidealoffaxisi[1umina—
tiontechnique.
Keywords:Phot01ithographicsystems:Binarygratingillumination;Imagingcharacteristics;
Iuminousintersity;Transferfunctions
CLC number:TN305.7
引 言
提高光刻成象系统分辨力增大焦深是现代微光刻技术的核心内容 ,常用的方法是增大数值孔径和缩
短波长。但随着波长的进一步缩短和数值孔径 的增加 ,焦深将急剧变小 ,这直接带来了工艺容限下降的不
利后果 为了克服分辨力增加和焦深缩短的矛盾.国内外广泛进行了波前工程 研究 离轴照明技术是最
有发展潜力的技术之一,但传统的离轴照明通常采用四极
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