MOSFET噪声与热载流子效应的研究.pdf

摘要 摘要 随着MOS器件尺寸逐渐减小，由热载流予效应导致的损伤变得越来越严重， 已成为影响器件性能的主要失效机制之一。为了保证使用的可靠性同时尽可能地 降低成本，人们迫切需要一种可靠、快速、成本低廉的无损伤热载流子效应预测 方法来代替传统的电参数退化表征方法。 本文介绍了MOS器件热载流子效应及1／厂噪声物理机制。在此基础上，进行 了噪声与热载流子相关性实验，获取了大量热载流子应力前后MOS器件的电参数 及噪声参数数据，并对MOS器件抗热载流子能力的1／fl噪声表征进行了深入研究。 本文取得了以下研究成果： 分别在三种栅压应力下对MOS器件进行热载流子注入实验，发现不同栅压应 力下的热载流子获得不同能量，从而形成高能和低能热载流子。在MOS器件栅氧 化层中，高能热载流子打断硅硅键，低能热载流子打断硅氢键、硅氢氧键，激发 产生氧化层陷阱以及深、浅能级的晃面态等缺陷。这些缺陷引起不同程度的闽值 电压漂移、跨导退化及1／厂噪声参数退化，严重的还引起器件的失效。 本文发现与传统的电参量相比较，噪声参数可以更敏感的反映器件在各种应 力下的热载流子效应损伤。噪声指数Y的变化与器件