表面预处理对集成Al-%2c2-O-%2c3-高K栅介质影响的的研究.pdfVIP

摘要 随着器件尺寸的进一步缩小，栅介质正变得越来越薄，由于隧穿效应引起的 栅介质漏电流将急剧上升。为了抑制栅漏电流，高介电常数(hi曲．k)栅介质将 取代传统的SiON栅介质。而原子层淀积(ALD)工艺技术由于其精确的厚度控 制，在高k栅介质的集成工艺上倍受青睐。然而实验表明，在原子层淀积high．k 工艺节点栅介质的等效厚度(EOT)将小于lnm；因此研究如何有效抑制界面层 生长已成为high—k集成中的一大挑战。本文主要研究了两种表面处理工艺：表 面TMA处理和表面氮化处理，论文主要内容归纳为以下三个部分： 1．论文研究了表面TMA处理和表面氮化处理对原子层淀积A1203薄膜的热稳 定性、电学特性的影响，并分析了不同表面处理对电容器件C．V滞回特性影 响的原因。 …从HRTEM照片上证实：表面TMA处理的确有效抑制了界面层的生长； 表面氮化处理在Si表面形成了一层厚～0．5rim的SiON，也有效抑制了在 薄膜淀积过程中界面层的再生长。 …表面氮化处理导致了更好的界面热稳定性。 …实验发现，界面层减薄后电容器件的C—V滞回明显增加；基于电容瞬态 扫描(C—t)，提出了“浅能级陷阱”模型成功解释了两种表面处理工艺 下的滞回差异。