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铜表面修饰硅烷膜在碱性溶液中的耐蚀性能研究 黄 令，林克发，杨防祖，许书楷，周绍民 （厦门大学化学化工学院化学系，福建 厦门 361005 ） ［摘 要］ 为了提高铜的耐蚀性，用自组装技术在铜表面上制备了3 - 巯基丙基三甲氧基硅烷 （MPTS ）自组装膜。利用红外光谱和扫描电子显微镜研究了该膜的结构，运用极化曲线和交流阻抗图 谱等电化学方法考察了MPTS 膜在0 . 5 mOI/ L NaOH 溶液中对铜电极的缓蚀性能。结果表明，MPTS 在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面，同时在表面以Si - O - Si 键自我交联形成了线性 低聚物，MPTS 浓度越高，其膜更致密。与裸铜电极相比，经MPTS 修饰后的铜的腐蚀电位正移200 mV ，腐蚀电流降低一个数量级，其缓蚀效率为86 . 5 !。 ［关键词］ 耐蚀性；缓蚀效率；3 - 巯基丙基三甲氧基硅烷；自组装膜 ［中图分类号］ TG174 . 2 ［文献标识码］ A ［文章编号］ 100 1 - 1560 （2005 ）11 - 00 10 - 04 0 引 言 键，可有效提高金属铜的抗腐蚀性能。由于巯基能 在金属铜表面上形成单分子自组装膜（SAMS ）且膜 在金属基底上组装一层排列紧密的缓蚀剂单 具有致密、稳定等特性，可以作为一种高效的缓蚀 分子层，可以使金属表面的抗蚀性能有很大变化。 剂。自组装膜（SAMS ）的性能与金属表面的前处理 有机硅烷衍生物在羟基化表面形成的自组装单分 也有关系［6 ］。本工作拟在电化学抛光后的铜电极 子膜是自组装膜家族中重要的一员，其自组装是基 表面制备3 - 巯基丙基三甲氧基硅烷膜，采用红外 于有机硅烷化合物与基底表面羟基的结合，同时伴 发射光谱和扫描电子显微镜研究膜的表面结构，运 随着横向的Si - O - Si 形式的交联形成一个较厚 用电化学技术测定MPTS 膜/ Cu 电极在0 . 5 mOI/ L 的膜或隔离层，对金属均有十分良好的缓蚀作 ［1，2 ］ ［3 ］ NaOH 中的耐腐蚀性能。 用 。K. Aramki 等 在铜 电极表面制备了 HO（CH ）SH 自组装膜，并利用三氯硅烷与自组 2 11 1 试验部分 装膜表面的羟基发生反应得到了烷基硅氧烷膜，当 水解时其分子间发生交联，减少膜的缺陷，增加膜 1. 1 试剂和溶液 的厚度，提高了膜的抗腐蚀性能。G. K. JenningS ［4 ］ 将3 - 巯基丙基三甲氧基硅烷、无水乙醇、氢氧 等 研究硫醇分子链长对铜抗蚀性能的影响，发 化钠用二次蒸馏水配制成为50 . 00 ，25 . 00 ，5 . 00 ， 现增加吸附分子的链长可使铜表面的氧化速度减 0 . 50 ，0 . 05 mmOI/ L 的3 - 巯基丙基三甲氧基硅烷乙 慢。为了探索硫醇分子与铜表面的成键行为，有人 ［5 ］ 醇溶液和0 . 5 mOI/ L NaOH 溶液。 开展了一系列研究工作 ，发现烷基硫醇通过 S