Cu(InxGa1-x)Se2和Cu2ZnSn(S%2fSe)4太阳能电池薄膜的实验与理论的研究.pdfVIP

摘要 性的光伏器件，它们具有成本低、性能稳定，转换效率高等优点而成为国际光伏界研究 20·3％，但这种电池的产业化依然没有形成一定的规模，其主要困难在于吸收层 CIGS薄膜中In和Ga是稀有金属，相对来说比较昂贵，所以人们又去寻找新的可替代 代性材料，我们先用第一性原理计算了CZTS／Se的电子结构和光学性质，为进一步实验 提供了理论基础。 为此本文工作主要分为两个部分，～是用磁控溅射多靶共溅射方法制备了CIGS薄 (AFM)分别研究了沉积参数对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌和成分比例的影响：并探 索了CIGS薄膜太阳能电池背电极层、缓冲层和窗口层的工艺条件。二是采用基于密度 锡矿型CZTS和CZTSe的能带结构、态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反 射率、复电导率和能量损失函数。得到的结果如下： (1)通过共溅射方法制备的CIS吸收层薄膜的生长质量和结晶性能很大程度上依 赖于溅射和退火温度。低衬底温度条件下，沉积到表面上的原子能量较低，迁移能力差， 不利于晶体生长，随着温度的升高，沉积到表面的原子迁移能力增强，抑制了界面失配 错位的产生，提高了薄膜的结晶度，薄膜的表面形貌也随温度的升高变得平整致密。实 验表明在560。C，570。C温度下对薄膜