基于多值逻辑方法的二值神经元MOS电路设计技术.pdfVIP

第 27 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 7 2006 年 7 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J uly ,2006 基于多值逻辑方法的二值神经元 MOS 电路设计技术 杭国强 (浙江大学信息与电子工程学系 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元 MO S 电路的方法. 对每个神经元 MO S 管的逻辑功能 均采用传输开关运算予以表示. 在此基础上设计了实现常用二变量逻辑函数的神经元 MO S 电路和全加器等电路. 采用所提出的方法综合得到的电路结构十分简单 ,而且很容易确定各耦合电容之间的取值比例. 设计结果同时表 明 ,利用浮栅电压信号易于实现求和的优点 ,通过引入求和辅助变量可显著简化对电路的综合过程. 采用 T SMC μ 035 m 双层多晶硅 CM OS 工艺参数的 HSPI C E 模拟结果验证了所提出设计方案的正确性. 关键词 : 开关理论; 神经元 M OS 电路; 多输入浮栅 M OS 电路; 控阈技术 EEACC : 1100 ; 1265A ; 2570D 中图分类号 : TN 432 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 0713 1605 式化表示 , 由此可以对神经元 M OS 电路阈值的控 1 　引言 制和电路综合进行有效指导. 多输入浮栅 M OS 或称神经元 M OS ( n eu r on 2 　神经元 MOS 反相器和开关运算定 M OS) 晶体管是一种具有单个器件功能性强 、阈值 义 控制灵活等特点的新型器件[ 1] . 该器件可以采用标 准的双层多晶硅 CM OS 工艺制造 , 在神经网络 、模 2 . 1 　神经元 MOS 反相器 拟电路 、二值和多值数字电路的设计中已显现出了 良好的应用前景 ,对它的研究日益受到重视[ 2 ] . 就二 图 1 ( a ) 所示 电路为 由 p 沟道和 n 沟道浮栅 值数字电路而言, 已提出了一些采用该器件的基本 MO S 管构成的互补神经元 MO S 反相器[ 1 ] ,其中浮 单元电路和全加器等子系统设计方案[ 3～9 ] . 文献[ 3 , 栅由第一层多晶硅形成 , 多个输入控制栅则由第二 ( 层多晶硅形成. 输入端与浮栅之间通过电容实现耦 4 ]提出了一种采用浮栅 电势图 f l oat i n ggat e p o t e nt i al di a gr a m , F PD ) 指导神经元 M OS 数字 电路 合 ,反相器各端电压与耦合电容如图 1 ( b) 所示. 图 设计的方法. F PD 法具有较好的直观性 , 但使用并 中 V F 表示浮栅上的电压 , V 1 , V2 , …, V n 为输入信 不方便. 神经元 M OS 器件在浮栅上的电压是对输