氮化镓外延层电子辐照损伤光致发光分析.pdfVIP

第十六层全啊化合物半导体．做灞：嚣胃埽口光电嗣l件掌术牵议 氮化镓外延层电子辐照损伤光致发光分析 作者：付雪涛1，马通达H，张丽卿2，张崇宏2，张子民2 ● 2．中国科学院近代物理研究所，甘肃省兰州市南昌路509号，邮编：730000 本项目ffl国家自然科学荩金(批准号和国家自然科学基金委大科学装簧联合基金项目资助的课题(批准号 资助完成 摘要 和5X 10”／cm2。辐照后，用光致发光谱(PL)进行分析。发现相对于未经辐照的样品，辐照后样品的同有中性硅施土束缚激于峰 对应的强度随辐照荆晕的增加而减小，峰强减小量与电子束剂量的变化呈线性关系。辐照后的样品在3．492eV处出现一个新的 峰，这个峰的出现与氮空位的形成有关。经测定，氮空位的束缚能为25meV。 关键词：GaN异质结；电子辐照； 光致发光谱： 束缚能 1．引言 子束辐照氮化镓外延层后用PL谱进行分析 氮化镓(GaN)基半导体材料由于其优发现氮空位束缚能为25meV，与Look等的结 良的物理、化学特性，在蓝、绿