BaTiO3基PTCR陶瓷中B2O3蒸汽掺杂的异常行为.pdfVIP

维普资讯 第 l6卷 第 4期 无 机 材 料 学 报 Vol 16．No．4 2001年 7月 JournalofInorganicM aterials Ju1．。2001 文章编号：1000—324X(2001)04-0739-03 BaTiO3基 PTCR陶瓷中B203蒸汽掺杂的异常行为 齐建全，李龙土 ，朱 青，王永力 ，桂治轮 (清华大学材料系．北京 100084) 摘 要 ：钛酸钡基半导化陶瓷 中的PTCR效应通常与材料 中的施受主掺杂密切相关．在高温 下 BzO3具有较高的蒸汽压，通过 B2Oa蒸汽掺杂的研究表明，古主族元素B的氧化物蒸汽掺 杂，钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到 了大幅度提高，同时室温 电阻率也有所增加 ． B2Oa蒸汽掺杂 BaTiOa基材料的PTCR效应的提升可能得益于珊填隙和钡缺位相关 的复合缺 陷在晶界上的形成．