Yb2O3的掺杂方式对Ba（Ti1—yZry）O3陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 16卷 第 5期 无 机 材 料 学 报 Vo】 15，No 5 2001年 9月 JournalofInorganicM aterials Sep ，2001 文章编号：i000-324X(2001)05—0989—04 Yb03的掺杂方式对 Ba(Ti1-yZr)03陶瓷介 电性能的影 Ⅱ向 齐建全 ，桂 治轮，王永力，李 琦 ，李龙土 (清 华大 学材料 系新型陶瓷与精 细工 艺国家重点实验 室，北京 100084) 摘 要 ：在 Ba(Ti-一Zr)Os中 Yb203的不 同掺杂方式弓l起 了材料性能的显著变化 ·采用 Ba(Ti一。Zr。)O 合成后 YbO3的适量掺杂，陶瓷介温峰明显地移动 ．介 电常数太幅度提高， 获得了室温介 电常数 25000， 1250。C左右烧成 符合 Y5V标准的高介材料 ．合成后掺杂的 Yb2O3，使材料介 电常数提高，可能与施主掺杂引入的局域化 电子有