包埋浸渗／气相沉积二步法在C／C复合材料表面制备SiC涂层.pdfVIP

维普资讯 第 22卷 第4期 无 机 材 料 学报 Vol|22．No．4 JournalofInorganicMaterials Ju1．，2007 2007年 7月 文章编号：1000—324X(2007)04—0737—05 包埋浸渗 ／气相沉积二步法在 c／c复合材料表面制备 SiC涂层 王 标，李克智，李贺军，付前刚，王 翔，兰逢涛 f西北工业大学 材料学院，西安 710072) 摘 要：采用包埋浸渗法和化学气相沉积 (CVD)法相结合在炭 ／炭 (c／c)复合材料表面制备了SiC涂层，借 助扫描电镜、能谱分析以及 x射线衍射等检测手段对涂层的微观组织形貌、元素分布和物相组成进行了观察 与分析．结果表明：包埋法制备的SiC涂层与 c／c复合材料基体的界面处形成了梯度过