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石墨烯外延生长及其器件应用研究进展 高材1103刘铭2011012074 摘 要: 石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、 高质量的外延生长技术, 系统论述了不同 SiC 和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、 发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础. 关键词: 石墨烯、外延生长、器件、进展; 2004年, 英国Manchester大学的安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫[1]通过胶带剥离(亦称微机械力分裂法: Microfolitation)高定向石墨, 首次制备出独立存在的、只有一个原子层厚度的二维晶体结构—石墨烯. 它推翻了“完美二维晶体结构无法在非绝对零度下稳定存在”的定论, 开启了一扇基于二维体系的理论和实验研究大门. 石墨烯因其晶体和电子结构而具有独特的物理现象, 被认为是未来新一代的半导体材料,