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CdS纳米粒子自组装体系IV特性的数值模拟.pdf
第 卷第 期
VOl. 16 NO. 5 1 6 5
年 月
Sep . 2000 BULLETIN OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 2 0 0 0 9
CdS 纳米粒子自组装体系I-V 特性的数值模拟
何红波 周继承 胡慧芳 李义兵
长沙铁道学院材料研究所 湖南 长沙
( 410075)
摘 要 对形成室温单电子器件的典型串联双隧道结结构模型利用求解含时薛定谔方程计算了其
:
隧穿电流与偏压的关系 对 纳米粒子自组装体系在室温下的 特性进行了计算机模拟 结
. CdS 1 -V
果与实验符合得较好 该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义
. .
关键词 纳米粒子 隧穿 薛定谔方程
: ; ;
中图分类号: TN 40 文献标识码: A
文章编号:1001-7119(2000) 05-0330-05
0 引 言
随着微电子技术向其物理极限进一步发展 纳米技术受到广泛关注 的发展
. ~
STM AFM
给纳米电子学以很大的促进 人们已能通过多种方法制备粒径范围由几纳米到几百纳米 尺寸
.
可控 粒径分布窄的 等金属纳米粒子和 等半导体纳米
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
Au Ag Cu Pt CdS PIS Fe O TiO
2 3 2
粒子 技术和自组装技术的研究和发展 使人们开始利用和操控分子 粒子
. - ~
Langmuir BlOdgett
以及界面三者之间的相互作用将纳米粒子固定在基片
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