Ti对SiC陶瓷GH128接头残余应力的影响.pdfVIP

北京石油化工学院学报 第 18 卷 　第 1 期 Vol . 18 　No . 1 J o ur nal of Beij ing In stit ut e of 20 10 年 3 月 Mar . 20 10 Pet rochemical Technolo gy Ti 对 SiC 陶瓷 GH128 接头残余应力的影响 1 2 张建军 　刘文安 ( 1 北京石油化工学院机械工程系 , 北京 1026 17 ; 2 达索系统信息技术有限公司 , 北京 100025) 摘 要 　采用有限元方法对 SiC/ GH 128 和 SiC/ Ti/ GH 128 高温扩散焊连接件进行了残余 拉应力的有限元计算分析 。结果表明:SiC/ GH 128 不宜直接连接 ,在接头部位添加热膨胀系数介于 SiC 和 GH 128 间的金属中间层 Ti 有助于显著降低 SiC/ GH 128 接头残余拉应力 ,促进 SiC/ GH 128 接头的 形成 。 关 键 词 　应力分析 ; 陶瓷连接 ; SiC 陶瓷 ; 高温合金 中图法分类号 　TQ 17458 　　陶瓷材料具有脆性和冲击韧性 、加工性能 的 , 因此选取有限元的模型为圆棒的轴向截面 差等特点 , 因此制造大尺寸且形状复杂的零件 的二分之一 ,选用 PL AN E42 实体结构单元划 较为困难 ,通常需要与金属或陶瓷进行连接来 分网格 ,每个单元由4 个节点和两个 自由度组 达到使用要求[ 13 ] 。在陶瓷与金属或陶瓷与陶 合而成 。图 1 为网格划分结果 , 由于应力主要 ( ) 瓷的连接 采用金属中间层 过程中 , 当连接件 分布在界面附近 ,所以在靠近界面处划分较细 从连接温度冷却至室温时 , 由于陶瓷材料与金 网格 。 属材料的热膨胀系数 、弹性模量等存在差异 ,不 同材料的收缩率不同 , 因此材料的变形受到与 界面连接相关的限制 ,导致接头内部产生残余 应力 ,这是陶瓷金属接头强度弱化的主要原因 , 因此 ,陶瓷 - 金属连接中残余应力计算 、测量 、 缓解是工程陶瓷应用中必须解决的关键问题之 一 。目前对陶瓷中残余应力的计算主要采用有 限元 、边界元等数值方法[45 ] ,其中有限元方法 的应用最为普遍 。 采用 AN SYS80 软件进行 SiC 陶瓷与高 温合金连接过程的残余应力分析 ,研究以 Ti 作 为中间层连接 SiC 陶瓷的残余应力分布状况 , 图 1 　模型的网格划分结果 并根据模拟结果对连接件的薄弱处进行分析 , 　 预测出可能的断裂位置 。 计算中假设 SiC 陶瓷为连续的完全弹性 体 ,金属端和中间层金属箔为理想弹塑性体 。 1 　有限元应力分析模型的建立 采用的边界条件是在中轴线上施加 x 轴 向位 试验用的母材为 10 mm ×25 mm 圆柱状 , 移为 0 的约束 ,在对中间层中心位置与连接件 金属中间层为 2 mm 的金属箔 。由于连接样为 中轴线交点施加 y 轴向位移为 0 的约