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新—代高压MOSFET原理与性能分析
新一代高压MOSFET原理与性能分析
陈永真辽宁工学院(12l001)
摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决
耐压与导通电阻问矛盾的方法与原理 升绍井分析了具有代表性的新型麝压
叙词：内建攒向电场 耗尽层 导通电阻趣储萤重丑硒。
提高，导通电阻随之以2．一2．次方增长，其增长速度使
前 言Mo趼硎造者和应用者不得4不以数6十倍的幅度降低电流额定，
在功率半导体器件中，MD卿以高速，低开关损耗，低驱 阱折中额定电流、导通电阻和成本之问的矛盾。即便如此，高
动损耗在各种功率变换，特别是高额功率变换中起着重妥作 压M0s砸了在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不
用。在低压领域，M帆r授有竞争对手，但随着MOS的耐压
下．如表1。
裹l瞥芯面积相近．耐压不同的mosrxn的导通压障和新蔓靖构嘣瑚啊T的辱量压■
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增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的
从表中可以看到，耐压5fiOV以上的MOSFET的额定结温额
定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高代价是商业品所不允许的。
引^少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价是
得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2／3～4／5．使应用受到
极大限制。
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