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热压合成CB4CTiB2SiC复合材料的氧化行为.pdf
第 36 卷 增刊 1 稀有金属材料与工程 Vol.36, Suppl.1
2007 年 8 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING August 2007
热压合成 C-B C(TiB )-SiC 复合材料的氧化行为
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喻 亮,茹红强,薛向欣,左 良
(东北大学材料与冶金学院,辽宁 沈阳 110004)
摘 要:以1950℃下原位合成热压烧结生成的C-B C(TiB )-SiC复合材料在600 ℃,800℃, 1000 ℃, 1200 ℃, 1400 ℃空气中
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的恒温氧化行为,TG/DTA实验为基础,结合材料的显微结构,研究了不同温度区间复合材料在静态空气中的氧化机理,
计算出氧化反应激活能,并对氧化层表面的相组成形貌以及氧化层剖面的显微组织进行了分析。结果表明该复合材料
的氧化动力学曲线主要为抛物线形。扫描电镜照片显示氧化剖面层分成3层,不同的氧化温度,其表面氧化膜有不同的
缺陷。
关键词:C-B C(TiB )-SiC ;复合材料;原位合成;显微结构;氧化机理;氧化膜;
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中图法分类号:TB332 文献标识码:A 文章编号:1002-185X(2007)S1-0742-05
C-B C(TiB )-SiC 复合材料是碳/ 陶复合材料中一 和结构。
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种典型的具有抗高温氧化能力的结构材料,其优良性
质使其在航空航天、国防武器等高温工作环境领域得 表 1 实验原料的组成
到广泛应用,其原因在于此类碳/ 陶复合材料具有高温 Table 1 Mass composition of original powders(ω/%)
[1~3] 。深入了解其氧化行为并研究其氧 Number C B4C SiC TiO2
自愈合抗氧化性
#
化机理对C-B C(TiB )-SiC复合材料的设计和应用具有 1 20 12.333 61.667 6
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#
2 35 9.826 49.174 6
重要的指导意义。本实验研究了烧结温度为1950℃, #
3 50 7.328 36.672 6
C鳞片 为碳源,质量分数为20%~50%,B C和SiC的质量
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比为1:5 的复合材料的高温抗氧化行为,以期揭示
C-B C (TiB )-SiC复合材料的氧化规律。 2 结果与讨论
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1 实 验
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