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衬底温度对中频磁控溅射ZnO_Al透明导电薄膜性能的影响_黄宇.pdf
27 5 Vol. 27 No.5
2 0 0 6 9 ACTA ARMAMENTARII Sep. 2006
衬底温度对中频磁控溅射ZnOBAl
透明导电薄膜性能的影响
1, 2 3 2 1 2 2 2
黄宇 , 熊强 , 薛俊明, 马铁华 , 孙建 , 赵颖 , 耿新华
( 11 , , 030051;
21 , , 300071;
31 , 063000)
: ZnOBAl(ZAO) 薄膜的光学电学以及结构特性与衬底温度有关, 以掺杂质量2% Al 的
Zn( 纯度99. 99%) 金属材料做靶, 采 中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO 透明导电薄膜性能
的影响, 获得适合太阳电池的高效能薄膜, 薄膜厚度700 nm 左右, 其电阻率为416@ 10- 4 8 #cm, 载
20 - 3 2
流子浓度1198@ 10 cm , 霍尔迁移率6119 cm / (V#s) , 可见光范围内( 波长400~ 800 nm) 的平
均透过率大于85%.
: 凝聚态物理学; 中频磁控溅射; ZnOBAl(ZAO) 薄膜; 衬底温度; 载流子浓度; 霍尔迁
移率
: TM91414 2 : A : 1000- 1093( 2006) 05-0891-04
Substrate Temperature Dependence of the Properties of ZnOBAl Thin
Films Prepared by Mid-frequency Sputtering
1,2 3 2 1
HUANG Yu , XIONG Qiang , XUE Jun-ming , MA Tie-hua ,
2 2 2
SUN Jian , ZHAO Ying , GENG Xin-hua
( 11Key Lab of Instrumentation Science and Dynamic Measurement of Ministry of Education, Department of Electronic
Engineering, North University of China, Taiyuan 030051, Shanxi, China; 21 Key Laboratory of Optoelectronic
Information Science and Technology, Chinese Ministry of Education, Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices
and Technique of Nankai University, Nankai University, Tianjin 300071, China; 31Wireless Management Substation
of Tangshan, Information Industry Office of Hebei Province, Tangshan 063000, Hebe
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