薄膜物理与技术基本概念常识大全.docVIP

薄膜物理与技术基本概念常识大全.doc

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薄膜物理基础知识大全 第一章: 最可几速度: 平均速度: 均方根速度: 平均自由程:每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程;其统计平均值成为平均自由程。 常用压强单位的换算 1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr 1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa 真空区域的划分、真空计、各种真空泵 粗真空 1×105 to 1×102 Pa 低真空 1×102 to 1×10-1 Pa 高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa 超高真空 1×10-6 Pa 旋转式机械真空泵 油扩散泵 复合分子泵 属于气体传输泵,即通过气体吸入并排出真空泵从而达到排气的目的 分子筛吸附泵 钛升华泵 溅射离子泵 低温泵 属于气体捕获泵,即通过各种吸气材料特有的吸气作用将被抽气体吸除,以达到所需真空。 不需要油作为介质,又称为无油泵 绝对真空计: U型压力计、压缩式真空计 相对真空计: 放电真空计、热传导真空计、电离真空计 机械泵、扩散泵、分子泵的工作原理,真空计的工作原理 第二章: 什么是饱和蒸气压、蒸发温度? 在一定温度下,真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出来的压力 规定物质在饱和蒸气压为10-2Torr时的温度 克-克方程及其意义? 蒸发速率、温度变化对其影响? 根据气体分子运动论,在气体压力为P时,单位时间内碰撞单位面积器壁上的分子数量,即碰撞分子流量(通量或蒸发速率)J: 蒸发源温度微小变化就可以引起蒸发速率的很大变化 平均自由程与碰撞几率的概念。 蒸发分子在两次碰撞之间所飞行的平均距离 热平衡条件下,单位时间通过单位面积的气体分子数为 点蒸发源和小平面蒸发源特性? 能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源(点源)。 这种蒸发源的发射特性具有方向性,使得在 alpha 角方向蒸发的材料质量和 cos(alpha) 成正比。 拉乌尔定律?如何控制合金薄膜的组分? 在定温下,在稀溶液中,溶剂的蒸气压等于纯溶剂蒸气压 乘以溶液中溶剂的物质的量分数 在真空蒸发法制作合金薄膜时,为保证薄膜组成,经常采用瞬时蒸发法、双蒸发源法等。 MBE的特点?(分子束外延) 外延: 在一定的单晶材料衬底上,沿衬底某个指数晶面向外延伸生长一层单晶薄膜。 MBE可以严格控制薄膜生长过程和生长速率。MBE虽然也是以气体分子论为基础的蒸发过程,但它并不以蒸发温度为控制参数,而是以四极质谱、原子吸收光谱等近代分析仪器,精密控制分子束的种类和强度。 MBE是一个超高真空的物理淀积过程,即不需要中间化学反应,又不受质量输运的影响,利用快门可对生长和中断进行瞬时控制。薄膜组成和掺杂浓度可以随源的变化作迅速调整。 MBE的衬底温度低,降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层自掺杂扩散的影响。 MBE是一个动力学过程,即将入射的中性粒子(原子或分子)一个一个地堆积在衬底上进行生长,而不是一个热力学过程,所以它可以生长普通热平衡生长难以生长的薄膜。 MBE生长速率低,相当于每秒生长一个单原子层,有利于精确控制薄膜厚度、结构和成分,形成陡峭的异质结结构。特别适合生长超晶格材料。 MBE在超高真空下进行,可以利用多种表面分析仪器实时进行成分、结构及生长过程分析,进行科学研究。 膜厚的定义?监控方法? 厚度:是指两个完全平整的平行平面之间的距离。 理想薄膜厚度:基片表面到薄膜表面之间的距离。 监控方式见书上详解P50 第二章: 溅射镀膜与真空镀膜相比,有何特点? 任何物质都可以溅射,尤其是高熔点金属、低蒸气压元素和化合物; 溅射薄膜与衬底的附着性好; 溅射镀膜的密度高、针孔少,膜层纯度高; 膜层厚度可控性和重复性好。 溅射设备复杂,需要高压装置; 成膜速率较低(0.01-0.5(m)。 正常辉光放电和异常辉光放电的特征? 在正常辉光放电区,阴极有效放电面积随电流增加而增大,从而使有效区内电流密度保持恒定。 当整个阴极均成为有效放电区域后,只有增加阴极电流密度,才能增大电流,形成均匀而稳定的“异常辉光放电”,并均匀覆盖基片,这个放电区就是溅射区域。 射频辉光放电的特点? 在辉光放电空间产生的电子可以获得足够的能量,足以产生碰撞电离; 由于减少了放电对二次电子的依赖,降低了击穿电压; 射频电压可以通过各种阻抗偶合,所以电极可以是非金属材料。 溅射的概念及溅射参数。 溅射是指荷能粒子轰击固体表面(靶),使固体原子或者分子从表面射出的现象。 溅射

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