(Zr, Sn)TiO_4薄膜的制备及电性能研究进展.pdfVIP

28卷第5期 硅 酸 盐 通 报 v。1．28N。．5 BULLETIN0FTHECHINESE 2009年10月 CERAMICSOCIETY 0ctober，2009 陈 飞，周洪庆，朱海奎，韦鹏飞，陈 栋，刘 敏 (南京工业大学材料科学与工程学院，南京210009) 摘要：从对薄膜材料不断增长的性能要求出发，介绍了(Zr，Sn)Ti04薄膜的晶体结构特征，主要阐述了其已有的制 备工艺及电性能的研究进展。提出(zr，Sn)TiO。薄膜的制备方法将得到拓展和改进，指出了其今后的研究方向。 关键词：(zr，sn)Ti04薄膜；晶体结构；制备；性能 中图分类号：0484 文献标识码：A Research in andElectric ProgressPreparation ThinFilms Propertiesof(Zr。Sn)Ti04 CHEN M／n Fei，ZHOUHong—qing，ZHUHai—kui，WEIPeng静，CHENDong，LIU ofMaterialsScienceand (College Engineefing，NanjingUniversityofTechnology，Nanjing210009，China) the ofthe onthe ofthinfilm Abstract：From piont increasingrequirementperformance materials，the thinfilmswere crystal technologies，electricalpropertiesof(Zr，Sn)Ti04 mainly structure，preparation summarized．Itwas thatthe methodswouldbeextendedandmodified．Andthe proposed preparation reserehfocuswasalso out． pionted thin Keywords：(Zr，Sn)Ti04 films；crystalstructure；preparation；properties 1 引 言 =7 GHz)以及近乎为零的谐振频率温度系数下，，得到人们广泛的关注。由于纯ZST块材的烧结温度( 1500 如ZnO、V：0，等及各种低熔融温度玻璃Mo)及改善其制备工艺(控制冷却速率∞1，使用纳米级粉料¨1等)上。 20世纪70年代后期，(Zr，Sn)TiO。材料开始逐步应用于各种介质谐振器和滤波器中。 近年来，随着卫星通讯技术、手机通讯技术及全球定位系统的日趋完善，器件微型化已成为无线通讯技 am 术发展的主流趋势，薄膜材料因而在应用中发挥着越来越重要的作用。高s，的薄膜材料是制备低于100 的金属一氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)所必需的，这样不仅能够提升晶体管的驱动能力，还能够抑 获取高的电荷存储密度；永久性FLASH存储器将会引入高占，材料的薄膜用于实现对65nm厚