1.6GHz高线性度低功耗CMOS驱动放大器.pdfVIP

2008年第9期 文献标识码：A 中图分类号：TN432；’IM22 文章编号：1009—2552【2008)09一0068一04 1．6GHz高线性度低功耗CMOS驱动放大器 闫涛涛，周健军，莫亭亭 (上海交通大学微电子学院，上海200240) 摘要：提出了一种高线性度低功耗驱动放大器的设计方法，这种设计方法采用最佳偏置 (Optimum Bi鹳ing)的线性化技术提高线性度。利用这种方法设计了一个工作在1．6GHz的两级驱 动放大器，第一级预放大器采用1．8V电源电压，第二级输出放大器采用3．3v电源电压。放大器 在TSMC 0．18弘MCMOS工艺下仿真，仿真结果显示放大器的电压增益为31．8dB，三阶交调截取点 关键词：驱动放大器；高线性度；低功耗；最佳偏置 A1．6GHz CMOSdriver high-linearitylow—power amplifier YAN’rao-tao，ZHOU Jian-jun，MOting-ting 0f (School Mh俄Ie‘灯∞ics，ShanghaiJiaotongU商ve威ty，Shangllai200240，China) Abstract：Thisintroducesa1．6GHz driver p印er hi曲一linearit)rlow·power ∞llieved circuitis iIITSMC RFCMOS b)，惦ing叩timumbi鹳ingtechnique．Thisimplemented0．18tan simulation硝uhsshowthatithas31．8dB OIP3and17．7dBm process．The voltagegain，20．0dBm ou呐t ldB referred Whne 40111W poillt compression only powerconsumption。 words：driver Key amplifier；hi出hneari哆；lowpower；optimumbiasiIlg 0 引言 其如此。因而减小驱动放大器的功耗对于射频芯片 及整个系统都有着重要的意义。但通常情况下减小 随着CMOS工艺沟道长度的不断减小，MOSFET 功耗会降低放大器的线性度。在低功耗要求下提高 的截止频率．疗已经达到几十GHz甚至上百GHz，已 经能够满足几GHz频率射频集成电路的设计要求。 线性度就成为设计射频驱动放大器的一个难点。 在几GHz频率的射频集成电路芯片中，很多已经采 本文主要采用最佳偏置的线性化技术(Optimum Bi∞ing)H1提高线性度。 用了CMOS工艺。一方面，CM0s工艺比SiGe，GaAs， InP等工艺成本低，另一方面，采用CMOS工艺实现 l驱动放大器的结构 射频集成电路，能够和模拟集成电路，数字集成电路