采用循环伏安及其交流阻抗法的研究Sb(Ⅲ)在Au电极上的电化学还原过程.pdfVIP

A．089 采用循环伏安及交流阻抗法研究Sb(111)在Au电极上曲电化学还原过程 主蔓堡，王为 72 f王隼天学佗I学院应研W：学带五津3000 e幽州I E制d…㈣懈@tju 随着馓电子技术及MEMS枝术的发展．微型墟差电罂伴在近车柬得到7快连的发展，薄膜艋差 电材料的研究更是得到广泛关庄；目前低温范围性能最佳的溢釜电材料仍然是B，111e，掺杂化鲁物 及其衍生物。其中，Bl删Tes‰；履Blt；5sb。。Tq三元温差电材聿_固具有较高的zT值、曼是成为温差电 器件中N、P单傩材料的首选．薄膊温差电材科曲制备7『往一般黄化学j圭及物理法…，其中，液褶电 化学沉积薄膜温差电材科的方洼简单易操作．成本低，且可方便地通过调节电沉捂参数以及键渍盟 鹿隶控制材料的掺杂旅度及结晶扶冬，获得理想的晶体结构及化合物组成．团而具有更大的优势． 电化学j冗袒法制备B121k)及其掺杂化台物薄膜温差电材料己莲渐成为近年研究的热点1’“ Bbjsb¨1饥三无温差电材料的电化学玩积是一个十≈‘复杂的面f程、涉及到元素Bl、Te爰sh的电佗芷 还原以及其间的相互影响．DofianeDel 要困难的多，这就套对电化学制备B{一1k．sb固融体化台物产生极大的影响．因此，对干Sb(1lI)电化学 还原过程的研究就显得十分重要和迫切，但是，目前有关SbOlt)的电化学还原过程机理的系统研究 却十分稀少 本隆文采用三电极．二回路的电化学删试体系，通过蒯试Sb(111)在Au电掇t的循环伏安曲线 0lmo“L sb(儿I)的浓度．田1a)为Au电极在0 OmV／S．可以 Sb(III)溶液中的循匀=伏安曲线．扫描建度1 看出，在负向扫描的过程中出现了四个阴极还原峰，但在正向扫描的过程中只出现一个阳极氧化峰． 阴极还原峰以及阳极氧化峰的太小以及峰型均差别鞋大，|兑明反应是不可逆的，为了对各个迁孽峰 产生啄围作进一步的确定，测试了不同扫速下的CV曲线(如图lb所示J、通过对峰电疏密度同扫速 之间的关系的分析发现前三个还原峰所对应的电化学迁原反应同反_互物或产物在电极上曲吸附有 关而最后一个还原峰仅由扩散造成。 Au电极在0．0imouL 田1 Sb(1lI)殍通中的循研、伏安曲线，无搅拌 0 cvcilc ot^lJcl＆Im山inuIml／l／L unsItrr甜 F镕i v㈣一og口m sw¨I)“lIurIon 为r进一步验|正CV由缦的分析结果，买验咒对各个峰电位下交流阻抗曾图(田2J进行r删试． 可以看出，峰A c对应峰电位下的阻抗谱中舍有一个阻抗半圆，而峰BD对应峰电位下的阻抗谱 中台有两个阻抗半圆．此结果表明，峰A、C所对应电位F发生7一个电化学还原反应，而峰B、D 对应峰电位下发生7两个电化学还厚戾应．此外，在峰C所对应电位下硎得的谱圉中出现的感抗弧 迁进一步证明了吸附现象的存在．综合以上的实骚分析，各迂厚峰所对应的电化学反应可描述如下- A一089 Aj BJ SbOfa△J。e+SbOiam- SbOI J 【Sb_,C4H206]ra自+2e一[Sb2C{H206]一№DSbO㈨…+2e+21t—sb“一H]O[Sb…CIIO。1_』m，1—2e—sb’。 进步还厦为[Sb2C。H 206r最后SbOJ)．[Sb…CHO。12被还原与单质