氟化锂改性BSPT陶瓷的介电压电性能的研究.pdfVIP

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2015-08-31 发布于安徽
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氟化锂改性BSPT陶瓷的介电压电性能的研究.pdf

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第30卷增i 压电与声光 No．1 SuppL 2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUSTOOPTICSJun．2008 文章编号：1004—2474(2008)S1—0152—02 氟化锂改性BSPT陶瓷的介电压电性能研究李慧，李振荣，徐卓 (西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室，陕西西安710049) 瓷相组成和显微结构，并对陶瓷的介电和压电性能进行了测试。实验结果表明，LiF掺杂的0．36BiScOs一 0．64PbTi03陶瓷样品均为纯钙钛矿相。随着LiF加入量由0．2％(摩尔分数)增加到1．0％．晶粒尺寸明显增大。当LiF加入量为0．2％时．陶瓷峰值介电常数增加．相变弥散程度减小，室温下介电损耗得到抑制；压电常数ds。达到460pC／N，平面机电耦合系数k。由未加入LiF时的0．56提高到0．61。随着掺杂量的增加，压电性能下降。 0．2％加入量的陶瓷样品，在保持陶瓷压电性能的同时．将烧结温度由1100℃降低到了1050℃．关键词：LiF；压电陶瓷；介电}压电性能中图分类号：TN384 文献标识码：A EffectsofLiF ontheDielectricandPiezoelectric Doping of Ceramics 0．36BiSc03-0．64PbTi03 Properties LIHⅡi，LI Zhuo Zhen-rong，XU (ElectronicMaterialsResearch Lab．ofthe ofEducation，Xi’an 710049．China) Lab．．Key Ministry JiaotongUniversity．Xran Abstract：Perovskitestructure ceramicswere withdifferentconcentrationof 0．36BiSc03-0．64PbTi03prepared LiF conventionalsolid-statemethod．SEMshowedthat sizeincreasedwith dopant，through synthesis analysis grain amountof were observedfor0．2％LiF and sam- increasing doping．Similarpiezoelectricproperties samplesundoped 1 1 of was sinteredat 050℃and value factor alsofoundtOin- ples 100℃，respectively．Theplanarcouplingkp 1for hadlittleeffect creasefrom0．56for tO0．6 0．2％LiF ondmThe undopedsamples dope