Mn掺杂ZnO纳米线的制备及其磁学性能.pdfVIP

第28卷增刊 半导体学报 V01．28 Supplement CHINESEJOURNALOF 2007年9月 SEMICONDUCToRS Sep．，2007 Mn掺杂ZnO纳米线的制备及其磁学性能* 常永勤1’’ 俞大鹏2 龙 毅1 (1北京科技大学材料科学与工程学院，北京100083) (2北京大学物理学院，北京100871) 摘要：采用气相沉积方法在ZnO纳米线中实现了磁性元素的原位掺杂，获得大量高结晶质量的Zn，一，Mn，O纳米 线．X射线衍射、光电子能谱和透射电镜结果表明，Mn确实固溶入ZnO中而没有形成杂质相．采用超导量子干涉 仪研究了Zn，一，Mn，0纳米线的磁学性能，发现其铁磁性与Mn的掺杂含量有关． 关键词：ZnO；掺杂；铁磁性；CVD PACC：7550P；6146；6150J 中图分类号：TN304．2+1文献标识码：A 文章编号：0253·4177{2007)SO．0296．04 Zn，一，Mn，O纳米线，并对其磁学性能进行深入的研 1 引言 究和探讨，这不仅丰富了低维稀磁半导体的理论内 容，也为未来自旋电子器件设计开拓了新的思路，因 自旋电子学是近年来发展起来的一个新的研究 而具有重要的研究价值和深远的应用前景． 领域，利用它制造的新型器件由于电子的电荷和自 旋特性可同时运作而实现信息存贮和信息处理的同 2 实验 时进行，与传统的半导体器件相比，具有非易失性， 提高数据处理速度和增加集成密度等优点Ⅱ]．尤其 本文采用CVD方法将磁性元素Mn掺入ZnO 是量子计算的前景带来了数据存贮和处理速度大幅 纳米线，通过调整合成温度、组元化学配比和气氛压 提升的可能性．稀磁半导体(diluted semi． magnetic conductor，DMS)成功地实现了半导体与磁性材料含量x分别为0，0．06，O．13．本实验中采用扫描电 的结合，是研究自旋电子学的理想体系，可望广泛应 用于未来的自旋电子学器件，因而备受科技界和工 X射线衍射仪(XRD)测定产物的结构；采用光电子 业界的关注[2’3]．近年来，宽禁带稀磁氧化物半导体 能谱(xPS)确定产物的组分和价态；采用超导量子 引起了人们极大的研究兴趣．2000年，Dietl等人[43干涉仪(SQUID)测量产物的磁学性能． 在Science上发表文章报道了他们采用Zener模型 预测出P型氧化物半导体ZnO中掺入5％Mn后3结果与讨论 具有铁磁性，且其居里温度高于室温．这是极为重要 的发现，因为只有材料的居里温度高于室温，自旋电 三个样品典型的SEM形貌如图1所示，产物均 子学器件才可得以在室温下应用，从而为器件的实 为纳米线，直径分布在20～100nm范围内，平均直 用化走出了决定性的一步．以前znO基DMS的研径为70nm．长度约为几微米，纳米线表面光滑而且 究主要集中在体材料和薄膜上[5~7]，关于比较直．采用XRD分析产物的结构，结果如图2所 Zn，一。Mn，0纳米材料方面的报道则很少．已有文献示．图中出现的衍射峰均可以由ZnO纤维锌矿结构 报道采用离子注入的方法在ZnO纳米带中进行磁 解释，没有观察到其他杂质如Mn或其氧化物的衍 性掺杂，但容易引入大量的缺陷和应力[83；也有文献 射峰，表明磁性元素Mn固溶入ZnO晶格结构中， 报道采用将ZnO纳米结构在磁性气氛中退火实现 并没有形成第二相．由图2还可以看出，ZnO中掺 掺杂，但这样明显破坏了材料的原有形貌[9]．本文采 入